搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响

董烨 刘庆想 庞健 周海京 董志伟

材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响

董烨, 刘庆想, 庞健, 周海京, 董志伟
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  860
  • PDF下载量:  112
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2017-09-25
  • 修回日期:  2017-11-04
  • 刊出日期:  2018-02-05

材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增的影响

    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11475155,11305015)资助的课题.

摘要: 采用蒙特卡罗抽样与粒子模拟相结合的方法,数值研究了材料二次电子产额对腔体双边二次电子倍增瞬态演化及饱和特性的影响.研究发现:随着材料二次电子产额的增加,二次电子增长率以及稳态二次电子数目和振幅均呈现增加的趋势,放电电流起振时间逐步缩短,稳态电流幅值以及放电功率平均值和振幅值均呈现逐步增加并趋于饱和的规律,沉积功率波形延时以及脉宽呈现逐步增加并趋于饱和的趋势.粒子模拟给出了高/低二次电子产额情况下的电子相空间分布、电荷密度分布、平均碰撞能量、平均二次电子产额、二次电子数目和放电电流的细致物理图像.模拟结果表明:高二次电子产额材料,饱和时更倾向趋于单边二次电子倍增类型分布;低二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性由空间电荷场的去群聚效应和反场效应同时决定,而高二次电子产额材料的二次电子倍增饱和特性则主要是由发射面附近的强空间电荷场反场效应决定的.

English Abstract

参考文献 (20)

目录

    /

    返回文章
    返回