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低速Xeq+(4q20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射

徐秋梅 杨治虎 郭义盼 刘会平 陈燕红 赵红赟

低速Xeq+(4q20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射

徐秋梅, 杨治虎, 郭义盼, 刘会平, 陈燕红, 赵红赟
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  • 实验中测量了0.38VBohr(460 keV)高电荷态Xeq+(4q20)离子轰击高纯Ni表面发射的400510 nm光谱.实验结果包括Ni I原子谱线,Ni Ⅱ离子谱线,以及入射离子中性化发射的Xe I,Xe Ⅱ和Xe Ⅲ谱线.研究了谱线Xe Ⅱ 410.419,Xe Ⅲ 430.444,Xe Ⅱ 434.200,Xe Ⅱ 486.254,Ni I 498.245,Ni I 501.697,Ni I 503.502,Ni I 505.061和Ni I 508.293 nm的光子产额随着入射离子电荷态的变化.结果表明,入射离子中性化和溅射Ni原子发射谱线的光子产额随着入射离子电荷态的增加而增加,其趋势与入射离子势能一致.
      通信作者: 杨治虎, z.yang@impcas.ac.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金联合重点基金(批准号:U1732269)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-12-02
  • 修回日期:  2018-02-13
  • 刊出日期:  2018-04-20

低速Xeq+(4q20)离子与Ni表面碰撞中的光辐射

  • 1. 中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000;
  • 2. 中国科学院大学, 北京 100049;
  • 3. 南京航空航天大学航天学院, 南京 210016
  • 通信作者: 杨治虎, z.yang@impcas.ac.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金联合重点基金(批准号:U1732269)资助的课题.

摘要: 实验中测量了0.38VBohr(460 keV)高电荷态Xeq+(4q20)离子轰击高纯Ni表面发射的400510 nm光谱.实验结果包括Ni I原子谱线,Ni Ⅱ离子谱线,以及入射离子中性化发射的Xe I,Xe Ⅱ和Xe Ⅲ谱线.研究了谱线Xe Ⅱ 410.419,Xe Ⅲ 430.444,Xe Ⅱ 434.200,Xe Ⅱ 486.254,Ni I 498.245,Ni I 501.697,Ni I 503.502,Ni I 505.061和Ni I 508.293 nm的光子产额随着入射离子电荷态的变化.结果表明,入射离子中性化和溅射Ni原子发射谱线的光子产额随着入射离子电荷态的增加而增加,其趋势与入射离子势能一致.

English Abstract

参考文献 (43)

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