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晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

任舰 苏丽娜 李文佳

晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

任舰, 苏丽娜, 李文佳
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  • 制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结圆形平面结构肖特基二极管,通过测试和拟合器件的电容-频率曲线,研究了电容的频率散射机制.结果表明:在频率高于200 kHz后,积累区电容随频率出现增加现象,而传统的电容模型无法解释该现象.通过考虑漏电流、界面态和串联电阻等影响对传统模型进行修正,修正后的电容频率散射模型与实验结果很好地符合,表明晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容随频率散射是漏电流、界面态和串联电阻共同作用的结果.
    • 基金项目: 江苏省高校自然科学研究项目(批准号:17KJB510007,17KJB535001)资助的课题.
    [1]

    Sun M, Zhang Y, Gao X, Tomas P 2017 IEEE Electron Dev. Lett. 38 509

    [2]

    Xue J S, Hao Y, Zhang J C, Zhou X W, Liu Z Y 2011 Appl. Phys. Lett. 98 113504

    [3]

    Xing W, Liu Z, Ranjan K, Tomas P 2018 IEEE Electron Dev. Lett. 39 947

    [4]

    Kuzmik J, Pozzovivo G, Abermann S, Carlin J F, Gonschorek M, Feltin E 2008 IEEE Trans. Electron Dev. 55 937

    [5]

    Chung J W, Saadat O I, Tirado J M, Gao X 2009 IEEE Electron Dev. Lett. 30 904

    [6]

    Li W, Wang Q, Zhan X 2016 Semicond. Sci. Technol. 31 125003

    [7]

    Yuan Y, Wang L, Yu B, Shin B, Ahn J, Mcintyre P C 2011 IEEE Electron Dev. Lett. 32 485

    [8]

    Lin H C, Yang T, Sharifi H, Kin S K, Xuan Y 2007 Appl. Phys. Lett. 91 212101

    [9]

    Stemmer S, Chobpattana V, Rajan S 2012 Appl. Phys. Lett. 100 233510

    [10]

    Zhao J Z, Lin Z J, Corrigan T D, Wang Z, You Z D, Wang Z G 2007 Appl. Phys. Lett. 91 173507

    [11]

    Stoklas R, Gregušová D, Novák J, Vescan A, Kordoš P 2008 Appl. Phys. Lett. 93 124103

    [12]

    Xie S, Yin J, Zhang S, Liu B, Zhou W, Feng Z 2009 Solid-State Electron. 53 1183

    [13]

    Shealy J R, Brown R J 2008 Appl. Phys. Lett. 92 032101

    [14]

    Miller E J, Dang X Z, Wieder H H, Asbeck P M, Yu E T, Sullivan G J 2000 J. Appl. Phys. 87 8070

    [15]

    Yang K J, Hu C 1999 IEEE Trans. Electron Dev. 46 1500

    [16]

    Turuvekere S, Karumuri N, Rahman A A 2013 IEEE Trans. Electron Dev. 60 3157

    [17]

    Nsele S D, Escotte L, Tartarin J, Piotrowicz S, Delage S L 2013 IEEE Trans. Electron Dev. 60 1372

    [18]

    Semra L, Telia A, Soltani A 2010 Surf. Interface Anal. 42 799

  • [1]

    Sun M, Zhang Y, Gao X, Tomas P 2017 IEEE Electron Dev. Lett. 38 509

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    Xue J S, Hao Y, Zhang J C, Zhou X W, Liu Z Y 2011 Appl. Phys. Lett. 98 113504

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    Xing W, Liu Z, Ranjan K, Tomas P 2018 IEEE Electron Dev. Lett. 39 947

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    Kuzmik J, Pozzovivo G, Abermann S, Carlin J F, Gonschorek M, Feltin E 2008 IEEE Trans. Electron Dev. 55 937

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    Li W, Wang Q, Zhan X 2016 Semicond. Sci. Technol. 31 125003

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    Yang K J, Hu C 1999 IEEE Trans. Electron Dev. 46 1500

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    [17]

    Nsele S D, Escotte L, Tartarin J, Piotrowicz S, Delage S L 2013 IEEE Trans. Electron Dev. 60 1372

    [18]

    Semra L, Telia A, Soltani A 2010 Surf. Interface Anal. 42 799

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出版历程
  • 收稿日期:  2018-05-29
  • 修回日期:  2018-11-01
  • 刊出日期:  2019-12-20

晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容散射机制

  • 淮阴师范学院物联网工程系, 淮安 223600
    基金项目: 

    江苏省高校自然科学研究项目(批准号:17KJB510007,17KJB535001)资助的课题.

摘要: 制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结圆形平面结构肖特基二极管,通过测试和拟合器件的电容-频率曲线,研究了电容的频率散射机制.结果表明:在频率高于200 kHz后,积累区电容随频率出现增加现象,而传统的电容模型无法解释该现象.通过考虑漏电流、界面态和串联电阻等影响对传统模型进行修正,修正后的电容频率散射模型与实验结果很好地符合,表明晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN异质结电容随频率散射是漏电流、界面态和串联电阻共同作用的结果.

English Abstract

参考文献 (18)

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