搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性研究

龙泽 夏晓川 石建军 刘俊 耿昕蕾 张赫之 梁红伟

基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性研究

龙泽, 夏晓川, 石建军, 刘俊, 耿昕蕾, 张赫之, 梁红伟, 等
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  69
  • PDF下载量:  0
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2020-03-20

基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性研究

  • 1. 大连理工大学微电子学院
  • 2. 大连理工大学
  • 3. DaLian University of technology
    基金项目: 其它-大连市科技创新基金(2018J12GX060)

摘要: 本文制备了基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件,对该器件进行了温度特性I-V曲线测试。器件表现出了良好的二极管特性,随着温度从300K升高至473K,势垒高度从1.08eV上升至1.35eV,理想因子从1.32降低至1.19,二者表现出了较强的温度依赖特性,这表明器件的肖特基势垒存在势垒高度不均匀的问题。串联电阻随温度升高而降低,这主要是热激发载流子浓度升高导致的。本文利用势垒高度的高斯分布对器件的温度特性进行了修正,修正后的势垒高度为1.54eV,理查孙常数为26.35 Acm-2K-2,更接近理论值,这表明利用高斯分布势垒高度的热电子发射模型能够很好的解释Au/Ni/β-Ga2O3肖特基二极管的I-V温度特性问题,这种方法更适合用来测量β-Ga2O3肖特基二极管的电学参数。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回