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GeSe2中强各向异性偏振相关的非线性光学响应

欧阳昊 胡思扬 申曼玲 张晨希 程湘爱 江天

GeSe2中强各向异性偏振相关的非线性光学响应

欧阳昊, 胡思扬, 申曼玲, 张晨希, 程湘爱, 江天, 等
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出版历程
  • 收稿日期:  2020-03-25

GeSe2中强各向异性偏振相关的非线性光学响应

  • 1. 国防科技大学前沿交叉学科学院,长沙 410073
  • 2.  国防科学技术大学光电科学与工程学院
  • 3. 国防科学技术大学光电科学与工程学院
    基金项目: 国家级-国家自然科学基金(批准号:11802339、11805276、61805282、61801498、11804387和11902358)

摘要: 二硒化锗(GeSe2)作为一种层状IV-VI族半导体,具有面内各向异性结构及宽能带间隙,表现出了独特的光、电及热学性能。本文利用偏振拉曼光谱和线性吸收谱分别对GeSe2纳米片的晶轴取向和能带特性进行表征,并以此为依据采用微区I扫描系统研究GeSe2在共振能带附近的光学非线性吸收机制。结果表明,GeSe2中非线性吸收机制为饱和吸收与激发态吸收的叠加,且对入射光偏振与波长均有强烈依赖特性。近共振激发(450 nm)条件下,非线性吸收对偏振的依赖程度更大,随着入射光偏振不同,调制深度可由4.6%变化至9.9%;而非共振激发(400 nm)时,调制深度仅由7.0%变化至9.7%。同时,相比于饱和吸收,激发态吸收在不同激发波长下的偏振依赖程度变化更大。

English Abstract

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