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Vol. 27, No. 3 (1978)

1978年02月05日
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研究简报
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群表示论的物理方法(Ⅴ)——SU3?SO3和SU4?SU2×SU2分类基
陈金全, 高美娟, 王凡
1978, 160 (3): 237-246. doi: 10.7498/aps.27.237
摘要 +
本文给出了核物理中常用的SU3?SO3(f=1—6)和SU4?SU2×SU2波函数在Gelfand表象中的展开系数。
静电透镜与磁偏转器的复合系统的电子光学性质和象差理论
西门纪业
1978, 160 (3): 247-259. doi: 10.7498/aps.27.247
摘要 +
本文将文献[1]的方法和结果加以推广,研究了旋转对称静电透镜和磁偏转器的复合系统。给出了场和轨迹的普遍表达式,讨论了高斯光学性质,得出了这种系统普遍的三级象差和象差系数的公式。这两篇文章有助于较全面地研究各种电子束管和电子光学仪器的偏转象差。
Ni—Fe—Nb及Ni—Fe—Nb—Al合金磁性和结构的初步研究
戴礼智, 王俊健, 侯德惠
1978, 160 (3): 260-268. doi: 10.7498/aps.27.260
摘要 +
对两类合金,即Ni-Fe-Nb和Ni-Fe-Nb-Al合金的热处理和磁性进行了实验。Ni-Fe-Nb合金经高温处理后与工业常用的钼坡莫合金同样具有较高的起始磁导率和最大磁导率。我们对Ni-Fe-Nb和4钼坡莫合金的物理参数进行了比较。Ni-Fe-Nb-Al合金有较高的硬度和电阻率。经过两次联合处理,可以达到较为适用的磁导率值。Ni-Fe-Nb-Al合金经高温缓慢冷却发生了调幅结构,调幅结构的周期约50单胞(数)或160埃。Ni-Fe-Nb-Al合金经970℃加热后快速冷却可以抑制调幅结构。具有调幅结构的材料硬度较高,矫顽力也略为增高。
晶界裂纹成长的一种可能的机构和蠕变断裂时的估计
梁振亚, 范天佑
1978, 160 (3): 269-275. doi: 10.7498/aps.27.269
摘要 +
本文首先分析了Hull和Rimmer工作。根据对有关实验资料的分析和我们自己的实验研究,同时也吸取了Hull和Rimmer工作中合理的部分,提出一种新的蠕变断裂机构。由此导出蠕变断裂时间公式。理论计算与实测值的比较表明,本文的结果较上述工作有所改进。
超软X线计数管入射窗薄膜的研究
林天辉, 田有才, 崔保坤
1978, 160 (3): 276-283. doi: 10.7498/aps.27.276
摘要 +
研究了超软X线用流气计数管入射窗薄膜的材料和表面导电层对计数管性能的影响。实验结果表明:在试验的几种薄膜中,Formvar具有密封性能好和对射线透过率高的良好综合性能。并发现,薄膜表面导电层对观测强度的稳定性影响极大。作者试图根据流气计数管中超软射线电子增殖过程的特点进行了解释。
双泵染料激光器
刘皇风, 王联治
1978, 160 (3): 284-290. doi: 10.7498/aps.27.284
摘要 +
本文讨论了双泵染料激光器的可能性和途径。讨论表明,引进辅助的T1→S1抽运,对于降低激光器的阈值,提高增益和荧光量子效率,扩大激光染料的种类和调频波段,将是有益的。
利用肖特基势垒特性研究4mm波段硅雪崩二极管的杂质分布
林鸿溢
1978, 160 (3): 291-302. doi: 10.7498/aps.27.291
摘要 +
本文研究了4mm波段硅雪崩二极管剖面的杂质浓度分布。测量并讨论了研制器件的外延层杂质分布特性,和器件杂质分布及其对器件性能的影响。文中阐述了肖特基势垒的基本方程,给出计算曲线;讨论了测量条件及产生误差的主要方面。作为实验技术的改进,我们装置了水银探针,讨论了确定Hg-Si势垒面积的理论依据和测量方法,并获得了Hg-Si势垒高度φms和内建势Vbi的实验值,以及稳定势垒面积的条件。
用积分球和分布光强计测量红、黄、绿发光二极管(LED)的总光通
胡恺生, 付德惠, 王永珍
1978, 160 (3): 303-313. doi: 10.7498/aps.27.303
摘要 +
为适应半导体LED发展的需要,我们设计出积分球与转动式分布光强计,可对GaAsxP1-x,GaP,GaAs加荧光粉三种材料制成的红、绿、黄LED的总光通和光强空间分布进行测试。由此不难算出平面封帽数码管的发光率(亮度)。为了便于和国外发表的结果作对比,用国产标准灯作定标标准后,还把标准灯和国外照度计的测试结果作了比较。结果表明,在误差范围内彼此很好地符合。
α-LiIO3单晶体在静电场作用下点阵常数的变化
易孙圣, 梁敬魁
1978, 160 (3): 314-321. doi: 10.7498/aps.27.314
摘要 +
本文用X射线双晶衍射平行排列(n,-n)的方法,观察了α-LiIO3单晶体生长过程点阵常数a与c不规则的不均匀性以及在静电场作用下c的起伏现象。观测出在静电场作用下a与c的变化和沿电场方向晶体表面层存在点阵常数的梯度。从而,证明了l≠0的晶面在静电场作用下,中子衍射的增强是由于在z轴向点阵常数c存在梯度的观点。同时,(010)晶面中子衍射强度在同样静电场作用下不增强的实验事实,从本实验结果,可以认为是点阵常数a原有的不均匀性较大,掩盖了a的梯度所致。
非平衡态相变的两例——光学参量振荡和激光
冯克安
1978, 160 (3): 322-330. doi: 10.7498/aps.27.322
摘要 +
本文就光学参量振荡和激光两个物理问题,讨论了非平衡态相变过程的动力特点。相变点是由稳定结点状态突变到鞍点时的转变点。说明了涨落和耗散在相变中所起的作用,得到第二类相变的临界指数(β=1/2,γ=1)。
研究简报
永磁材料退磁曲线的几何作图法
盛谏
1978, 160 (3): 331-338. doi: 10.7498/aps.27.331
摘要 +
一个等温状态方程(Ⅱ)
徐济安
1978, 160 (3): 339-343. doi: 10.7498/aps.27.339
摘要 +