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Vol. 28, No. 4 (1979)

1979年02月20日
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激光核聚变模拟计算
林中衡;殷光裕
1979, 1656 (4): 455-469.
摘要 +
本文概述了一个简单的激光核聚变物理模型, 利用它可以计算在强激光辐照下等离子体靶丸的流体动力学行为, 以及产生的热核反应. 同时还讨论了有关的计算方法, 程序结构, 并且给出了几个初步的计算结果.
激光束在漫射表面上的散射
程路
1979, 1656 (4): 470-481.
摘要 +
本文运用文献[1] 的原理, 对下列三种情况进行了讨论和推导, 并给出相应测量装置的结构示意图: 1 . 柱面表面, 一维随机道痕, 道痕垂直于柱面母线; 2.平面表面, 二维随机起伏; 3. 凸、凹球面表面, 二维随机起伏。
透镜自动设计的衍射基价值函数
庄松林
1979, 1656 (4): 482-491.
摘要 +
本文描述了三种基于衍射理论(或称为衍射基)的光学系统质量指标作为透镜自动设计的价值函数的方法. 这三种指标是: 1.波差方差; 2.波差导数; 3. 几何光学传递函数. 得到了简化计算的相应公式. 实践证明, 这种价值函数不但可用于象差平衡的开始阶段, 更可用于象差的精细校正过程,以获得象差的最佳平衡方案.
偏轴非球面红外光学系统的自动设计
张幼文;杨存武;仰晓东
1979, 1656 (4): 492-502.
摘要 +
本文给出了矢量形式的折、反射定律的完整表达式. 推导了解析形式的球面、非球面、柱面、平面以及折射和反射通用的间光线追迹公式, 处理了非同轴系统. 目前国内外采用的Fder 公式[1], , 相当于本文公式组的一个特殊情况—共轴球面系统. 此外, 使用本文的公式组, 能自动排除Feder 公式中可能出现的光线与曲面的不正确交点。五年来的实践证明, 本文的公式组使用方便, 精度较高, 是值得推广的. 应用上述公式组, 以点列图作系统评价函数, 用阻尼最小二乘法自动设计了偏轴球面折、反射系统和非球面双反射系统, 效果较好. 此外, 还推导了光束截面最小的位置, 以便安放红 外探测器.
静电场对a_碘酸锂单晶喇曼光谱的影响
杨华光;李晨曦;顾本源
1979, 1656 (4): 509-517.
摘要 +
本文报道了静电场作用下a-碘酸狸单晶喇曼光谱的变化. 观察到由于静电场作用, 瑞利散射强度显著增强. 对于喇曼散射, 观察到“串线” 现象, 即通常的一阶喇曼散射光谱的选择定则遭到破坏. 我们还观察到, 在y(xz)x实验配置下, “串线”, V1=790 (1/cm)(对应于碘酸根内部振动对称伸张模)的强度在施加同号电压下, 有显著增强现象, 并且其谱线强度随时间变化存在弛豫现象. 在y(zz)x 配置下, 施加异号电压时, 四条谱线强度都发生明显变化.
LiIO_3_KIO_3赝二元系相图
梁敬魁;刘宏斌;张孙民;;许德宗;
1979, 1656 (4): 518-523.
摘要 +
本文用粉末固态烧结法、水溶液蒸发法和熔融法对LiIO_3_KIO_3 系统可能存在的二元化合物进行合成. 二元化合物Li_2_K (IO_3_)_3_属单斜晶系; 简单单斜布喇菲点阵. 并确定其存在的成份范围和条件.a=11.127埃,b=11.092埃,c=8.243埃, 角度等于110°30′,z=4 同时测定了LiIO_3_KIO_3系统平衡态时亚稳态的相图.
锆钛比为50/50的PZT陶瓷极化前后的X射线研究
张孝文;叶楚才;李成萃
1979, 1656 (4): 524-533.
摘要 +
铁电陶瓷在极化及使用过程中有畴结构的变化。这种变化对材料宏观性能有直接影响.本文提出了一种从x 射线强度变化来定量地测定四方铁电相中90°畴转向率的简便方法. 只要正确地测定出未极化状态的强度I_200_与I_002_之比以及极化状态相应的比值, 就可以直接求得极化过程90°畴转向的百分比. 公式推导过程考虑了结构因素及可能存在的择优取向.用上述方法对锆钛比为50 / 50 的PZT 陶瓷在不同极化条件下90°畴的转向率作了计算, 所得的结果与宏观性能变化平行. 与过去用测量形变进行间接换算的方法作了比较. 文中还讨论了用x 射线线形变宽方法来测定极化前后的内应力问题.
包钴型r_Fe_2_O_3磁粉矫顽力增大原因的探讨
罗河烈;龚伟;刘丁柱;孙克
1979, 1656 (4): 534-543.
摘要 +
针状r_Fe_2_O_3 磁粉与Co++ 和Fe++ 溶液或Co(OH)_2_起反应, 在每颗颗粒上包上了一层Co 铁氧体.经这样处理后的r_Fe_2_O_3 磁粉的矫顽力可由原来的420 Oe增大到770 Oe左右.研究了这种磁粉的矫顽力Hc随磁粉密度以及温度的变化等, 认为这种磁粉矫顽力增大的原因是由于增加了磁粉的表面各向异性所致.
颗粒状NbC,NbN转变温度T_c提高的探讨
韩汝珊;刘福绥;赵忠贤
1979, 1656 (4): 544-552.
摘要 +
本文分析了表面效应对NbC, NbN 的声子谱及电子态密度的影响. 预言颗粒状NbC, NbN 化合物其转变温度T_c将会提高. T_cmax 将在20K 以上.
用电子显微镜观察银氧铯光电阴极中的银胶粒和银颗粒
吴全德
1979, 1656 (4): 553-562.
摘要 +
利用电子显微镜的覆型法和直接透射法可以研究银氧艳光电阴极中的银胶粒和银颗粒的结构; 并且可以研究各工艺步骤引起结构的变化. 从照片可以看出这种阴极含有大量胶粒和一些颗粒, 但它们的结构和分布是变化多端的. 在激活温度下, 银胶拉可以在氧化铯层中移动, 并联接成各种形状, 但也可以无规地堆积在一起.
变动边界微扰法及其对精密电容器误差计算的应用
张钟华
1979, 1656 (4): 563-570.
摘要 +
在研究精密电容器的几何尺寸误差引起的电容量误差时, 往往需在不规则边界的边值条件下求解拉普拉斯方程. 这里提供种解决这类问题的计算方法—-“变动边界微扰法”, 并给出了微扰过程的收敛条件. 在此方法的基础上, 还求出了电极系统有任意变形时电荷量变化的一般计算公式. 把这些结果应用于Lampard-Tamompson 型的计算电容时, 可以证明关于这种电容器的一些普遍性质.
等离子体环的竖直位移不稳定性
王中天
1979, 1656 (4): 593-598.
摘要 +