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Vol. 32, No. 3 (1983)

1983年02月05日
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研究简报
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多变量Master方程及其波动解
陈正雄, 霍裕平
1983, 32 (3): 285-293. doi: 10.7498/aps.32.285
摘要 +
本文讨论了线性反应过程:A→X多变量Master方程的波动解。除了可以由反应扩散方程得到的密度波以及由之耦合而成的多波解外,不可能得到类似于文献[2]中得到的涨落波分支。在考虑压力效应后,情况基本不变。本文讨论了由于化学反应及扩散的空间尺度(自由程)一般差别很大,多变量Master方程所存在的问题。
邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶锥面特征层状包裹形成的结构因素
赵庆兰, 陈金长, 黄依森
1983, 32 (3): 294-300. doi: 10.7498/aps.32.294
摘要 +
本文从邻苯二甲酸氢钾单晶的微观结构特性,讨论了晶面上特征层状包裹形成的结构影响因素。晶体内部的三种类型的微观结构隧道在一对特定的快速生长晶面作用下俘获母液中的杂质,是包裹形成的主要机理。本机理所预计的与实验观测结果符合较好。
混合型光学双稳特性分析
李永贵, 张洪钧
1983, 32 (3): 301-308. doi: 10.7498/aps.32.301
摘要 +
本文从理论上分析了带有光电反馈的电光调制器所具有的光学双稳特性,讨论了双稳工作时对阶跃输入的“临界延迟”效应。
双反馈F-P光振荡现象
李永贵, 张洪钧
1983, 32 (3): 309-314. doi: 10.7498/aps.32.309
摘要 +
本文介绍一种带有两个光电反馈迴路的F-P被动式光振荡器。该振荡器将连续的光输入转变成交变的光学多谐振荡输出和光学正弦信号输出。本文分析了产生振荡的原理,还给出了与分析相一致的实验结果。
热应力作用降低LPE层中的位错
涂相征
1983, 32 (3): 315-324. doi: 10.7498/aps.32.315
摘要 +
提出由温差造成热剪切应力,引起衬底穿线位错滑移,形成界面位错,从而降低LPE层中位错的模型。稳定自然对流下的温度梯度液相外延,存在衬底厚度方向的温差,能在边缘固定的衬底中造成热剪切应力。生长了厚GaAs和Ga1-xAlxAs层(x暗线缺陷的临界剪切应力。表面腐蚀坑观察表明,外延层位错密度下降,或无位错。界面蚀槽和阴极荧光观察表明,衬底穿线位错在界面弯曲成界面位错。透射电子显微镜观察表明,界面位错多
等离子体波-粒子非线性作用的有质动力和自生磁场效应
贺贤士
1983, 32 (3): 325-337. doi: 10.7498/aps.32.325
摘要 +
本文从Vlasov-Maxwell方程组出发,用自洽场方法首先建立了低频振荡粒子分布函数、密度与高频电场、低频磁场在Fourier表象中的耦合关系,然后对低频线性介电函数作各种近似展开,在时空表象中得到了包括磁场效应、有质动力和Landau阻尼的一套非线性作用方程组最后还给出了Lagrangian密度和守恒量,并简单地讨论了磁场能否促进三维Soliton形成问题。
随机驱动等离子体电流
夏蒙棼
1983, 32 (3): 338-345. doi: 10.7498/aps.32.338
摘要 +
本文探索波驱动等离子体电流的一种新机制,称之为随机驱动效应。在相干波与磁化等离子体相互作用的系统中,当波的强度超过某个阈值时,速度空间中的一些共振区将互相重迭。共振区的重迭可导致粒子的随机运动,引起速度空间中的扩散现象。如果在电子平行于磁场方向的速度分布中,这种重迭区是不对称的,这样,就可驱动纵向等离子体电流。
一维反铁磁体二水CsMnCl3中激子的振动猝灭和黄昆-Rhys因子
严懋勋, 贾惟义
1983, 32 (3): 346-353. doi: 10.7498/aps.32.346
摘要 +
在一维反铁磁体CsMnCl3·2H2O中,用D2O代替其中的结晶水之后,对于4T1→6A1激子跃迁,观察到三种明显的效应:激子线红移18cm-1;激子讯号增强近一个数量级;激子寿命由0.58ms变为9.2ms,增加15倍。这后一种效应在文献中尚未见报道,它说明这种同位素替代使振动猝灭受到很大的减弱。利用多声子辐射和无辐射跃迁理论,讨
低温高压及高温高压对La80Al20非晶态结构及超导性的影响
刘志毅, 赵有祥, 刘振兴, 陈桂玉, 王朝果, 王守证
1983, 32 (3): 354-359. doi: 10.7498/aps.32.354
摘要 +
用X射线衍射照相、X射线衍射仪及透射电子显微镜分析了用液相淬火技术制备的La80Al20合金样品,结果表明样品是非晶态结构。差热分析(DTA)结果表明,非晶态样品的晶化温度Tcr为280℃左右,玻璃温度Tg为242℃左右。非晶态样品低温高压(流体静压法)试验结果表明:压力从0至4.77kbar,Tc从3.87K提高到4.18K。高压下,超导前的剩余电阻与常压下相比较有明显下降。非晶态样品经高温高压
LaNi5的硫化物中毒及其再生的表面研究
虞心南, 张青哲, 谢侃, 康瑾, 林彰达
1983, 32 (3): 360-365. doi: 10.7498/aps.32.360
摘要 +
本文概括了氢气中的硫化物(如H2S,SO2和CS2)对LaNi5的表面中毒和再生。AES,XPS的分析表明,三种硫化物的中毒性质不同:H2S中毒产生La2S3和NiS这样的表面化合物;SO2和CS2中毒分别发生化学吸附和物理吸附。此外,从Ni(2P3/2)谱峰强度变化,表明了在LaNi
三角畸变立方晶场中d2离子的吸收光谱
马东平, 徐益荪, 胡志雄
1983, 32 (3): 366-375. doi: 10.7498/aps.32.366
摘要 +
用不可约张量方法,由广义Wigner-Eckart定理得出两个推论及有关结果。对三角畸变立方晶场中的d2离子,提出了从统一模型出发,计入Vc及(Vtr+Hs)产生的所有可能的相互作用,全面处理光谱与D,g‖,g⊥问题的有效方法。应用于钒刚玉,通过全面拟合光谱与D,g‖,g⊥实验值,得到的结果与实验值满意地符合。对所用的模型、方法等问
关于电磁复合聚焦阴极透镜的象差理论
周立伟, 艾克聪, 潘顺臣
1983, 32 (3): 376-392. doi: 10.7498/aps.32.376
摘要 +
本文对电磁复合聚焦阴极透镜的象差理论进行评述与研究,着重分析西门纪业和Бонштедт两篇代表性的文章,详细推导了两文的象差方程和象差系数。研究表明,尽管两文的象差系数在形式上迥然不同,但实质上是完全一致的,是可以互相转化的。从而证明Бонштедт对西门纪业的批评是没有根据的。按照我们的研究,成象系统的象差应在某一轴向初电位ε(x1)而非εx所对应的象面上进行考察,从而导出电磁复合聚焦阴极透镜包括一级象差与三级象差在内的全部横向象差表达式
研究简报
合金三元和四元系无定形靶中离子射程研究
郭沪玲, 王德宁, 王渭源
1983, 32 (3): 393-399. doi: 10.7498/aps.32.393
摘要 +
本文应用Vagard定律,由二元系投影射程Rp的线性组合计算合金三元或四元系Rp。计算的H+→GaAlAs,InAs,InGaAs,Be+→GaInSb和InAsSb,以及B+→Cd0.2Hg0.8Te多元系合金靶的Rp,与文献报道的实测值或计算值甚为符合。此外,还计算了H+→GaInAsP,GaAlAsSb和
二甲亚砜硝酸钇的晶体结构
林永华, 胡宁海, 周清廉, 刘书珍, 史恩栋, 王明义
1983, 32 (3): 400-405. doi: 10.7498/aps.32.400
摘要 +
二甲亚砜硝酸钇Y(NO3)3·3DMSO晶体属单斜晶系,a=13.604(4)?,b=12.669(4)?, c=11.554(2)?, β=100.14(4)°,z=4。空间群为P21/n。用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点数为3615个。结构已用重原子法解出,用全矩阵和方块对角矩阵最小二乘方法修正结构参数,最后R因子为0.080。结构分析结果表明,围绕着钇离子的九个氧构成稍歪扭的“三帽三方棱柱”配位多面体。钇和配位氧之间
快离子导体中的钠沉积
郭祝崑, 李香庭
1983, 32 (3): 406-410. doi: 10.7498/aps.32.406
摘要 +
采用电子探针(EPMA)定点轰击法研究了β-,β″-Al2O3和Nasicon(Na3Zr2Si2PO12)的钠沉积效应。按照递减离子源的离子迁移和电解沉积机理导出了钠沉积动力学方程式,可以较好地说明快离子导体在电子束轰击下钠计数率随时间的变化。在β-Al2O3单晶内有丰富的可迁移钠离子源,曲线上升的延续时间较长;而对于Na
V3X系d带相对移动量的配位场方法的计算
朱元贞, 潘少华
1983, 32 (3): 411-416. doi: 10.7498/aps.32.411
摘要 +
本文用配位场方法计算在D2d)晶场作用下,V3X(X=Si,Ga,Ge,Sb,Sn)超导化合物中d电子各态的附加势能,给出A-15超导化合物d带相对移动模型中的特征量——d子带相对移动量△E⊥——与晶格常数的解析关系及其数值结果。并用于磁化率的计算。
用Ge(Li)探测器测量正电子3γ湮没
吴关洪, 王蕴玉, 唐孝威
1983, 32 (3): 417-422. doi: 10.7498/aps.32.417
摘要 +
本文提出了用Ge(Li)探测器测量正电子3γ湮没的方法,只测量511keV峰区计数,就能确定3γ湮没与2γ湮没的相对份额。我们称这种方法为“峰法”。对“峰法”和“峰-谷法”的结果进行了比较。