搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

考虑透射概率的能量选择性电子热泵

何济洲 贺兵香

引用本文:
Citation:

考虑透射概率的能量选择性电子热泵

何济洲, 贺兵香

Energy selective electron heat pump with transmission probability

He Ji-Zhou, He Bing-Xiang
PDF
导出引用
  • 研究了具有不同温度和不同化学势的两个热库中的电子通过一个能量透射谱进行传输的问题,得到电子通过能量透射谱传输所产生的热流.进一步考虑了两个热库之间的辐射热漏流,数值计算出电子热泵的性能参数,绘出了热泵的性能特征曲线.分析了热漏、共振中心能级位置和能级宽度等参数对热泵工作性能的影响.当共振能级宽度无限小时,热泵系数可以达到Carnot值.
    The electron transport through an energy transmission spectrum between two reservoirs with different temperatures and chemical potentials is studied. The heat flow carried by the electrons is obtained. Taking into account the radiative heat leaks between the two electron reservoirs, the performance parameters of the heat pump are derived by numerical calculation. The performance characteristic curves of the heat pump are plotted. The influence of the heat leaks, the position of resonance energy level and the width of the level on the operation performance of the heat pump is analyzed. When the width of resonance energy level is infinitely small, the coefficient of performance may reach the value of Carnot heat pump.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10765004)资助的课题.
    [1]

    [1]Mahan G D 1994 J. Appl. Phys. 76 4362

    [2]

    [2]Mahan G D, Woods L M 1998 Phys. Rev. Lett. 80 4016

    [3]

    [3]Linke H, Sheng W, Lfgren A, Xu H G, Omling P, Lindelof P E 1998 Europhys. Lett. 44 341

    [4]

    [4]Linke H, Humphrey T E, Lfgren A, Sushkov A O, Newbury R, Taylor R P, Omling P 1999 Science 286 2314

    [5]

    [5]Humphrey T E, Newbury R, Taylor R P, Linke H 2002 Phys. Rev. Lett. 89 116801

    [6]

    [6]Ulrich M D, Barnes P A 2001 J. Appl. Phys. 90 1625

    [7]

    [7]Wang X M, He J Z, Wang J H 2008 Acta Electro. Sin. 36 2178 (in Chinese) [王小敏、何济洲、王建辉 2008 电子学报 36 2178]

    [8]

    [8]Wu L, Ang L K 2008 J. Appl. Phys. 104 084506

    [9]

    [9]Radtke R J, Ehrenreich H, Grein C H 1999 J. Appl. Phys. 86 3195

    [10]

    ]Bulusu A, Walker D G 2007 J. Appl. Phys. 102 073713

    [11]

    ]Vashaee D, Shakouri A 2004 Phys. Rev. Lett. 92 106103

    [12]

    ]Zhang X, Zhang D L 2007 Chin. Phys. 16 2656

    [13]

    ]ODwyer M F, Humphrey T E, Linke H 2006 Nanotechnology 17 S338

    [14]

    ]Humphrey T E, Linke H 2005 Phys. Rev. Lett. 94 096601

    [15]

    ]ODwyer M F, Lewis R A, Zhang C 2005 Phys. Rev. B 72 205330

    [16]

    ]Mei L W, Zhang Z H, Ding K H 2009 Acta. Phys. Sin. 58 1971 (in Chinese)[梅龙伟、张振华、丁开和 2009 物理学报 58 1971]

    [17]

    ]Vashaee D, Shakouri A 2004 J. Appl. Phys. 95 1233

    [18]

    ]Tang X F, Xie W J, Li H, Zhao W Y, Zhang Q J, Niino M 2007 Appl. Phys. Lett. 90 012102

    [19]

    ]Li X S, Peng Y Q, Yang Q S, Xing H W, Lu F P 2007 Acta. Phys. Sin. 56 5441 (in Chinese)[李训栓、彭应全、杨青森、刑宏伟、路飞平 2007 物理学报 56 5441]

    [20]

    ]Vining C B, Mahan G D 1999 J. Appl. Phys. 86 6852

    [21]

    ]Chao K A, Larsson M, Malshukov A G 2005 Appl. Phys. Lett. 87 022103

    [22]

    ]Wang X M, He J Z, Tang W 2009 Chin. Phys. B 18 98

    [23]

    ]Hu Y, Rao H B 2009 Acta. Phys. Sin. 58 3474 (in Chinese)[胡玥、饶海波 2009 物理学报 58 3474]

    [24]

    ]Niu X M, Qi Y H 2008 Acta. Phys. Sin. 57 6926 (in Chinese)[牛秀明、齐元华 2008 物理学报 57 6926]

  • [1]

    [1]Mahan G D 1994 J. Appl. Phys. 76 4362

    [2]

    [2]Mahan G D, Woods L M 1998 Phys. Rev. Lett. 80 4016

    [3]

    [3]Linke H, Sheng W, Lfgren A, Xu H G, Omling P, Lindelof P E 1998 Europhys. Lett. 44 341

    [4]

    [4]Linke H, Humphrey T E, Lfgren A, Sushkov A O, Newbury R, Taylor R P, Omling P 1999 Science 286 2314

    [5]

    [5]Humphrey T E, Newbury R, Taylor R P, Linke H 2002 Phys. Rev. Lett. 89 116801

    [6]

    [6]Ulrich M D, Barnes P A 2001 J. Appl. Phys. 90 1625

    [7]

    [7]Wang X M, He J Z, Wang J H 2008 Acta Electro. Sin. 36 2178 (in Chinese) [王小敏、何济洲、王建辉 2008 电子学报 36 2178]

    [8]

    [8]Wu L, Ang L K 2008 J. Appl. Phys. 104 084506

    [9]

    [9]Radtke R J, Ehrenreich H, Grein C H 1999 J. Appl. Phys. 86 3195

    [10]

    ]Bulusu A, Walker D G 2007 J. Appl. Phys. 102 073713

    [11]

    ]Vashaee D, Shakouri A 2004 Phys. Rev. Lett. 92 106103

    [12]

    ]Zhang X, Zhang D L 2007 Chin. Phys. 16 2656

    [13]

    ]ODwyer M F, Humphrey T E, Linke H 2006 Nanotechnology 17 S338

    [14]

    ]Humphrey T E, Linke H 2005 Phys. Rev. Lett. 94 096601

    [15]

    ]ODwyer M F, Lewis R A, Zhang C 2005 Phys. Rev. B 72 205330

    [16]

    ]Mei L W, Zhang Z H, Ding K H 2009 Acta. Phys. Sin. 58 1971 (in Chinese)[梅龙伟、张振华、丁开和 2009 物理学报 58 1971]

    [17]

    ]Vashaee D, Shakouri A 2004 J. Appl. Phys. 95 1233

    [18]

    ]Tang X F, Xie W J, Li H, Zhao W Y, Zhang Q J, Niino M 2007 Appl. Phys. Lett. 90 012102

    [19]

    ]Li X S, Peng Y Q, Yang Q S, Xing H W, Lu F P 2007 Acta. Phys. Sin. 56 5441 (in Chinese)[李训栓、彭应全、杨青森、刑宏伟、路飞平 2007 物理学报 56 5441]

    [20]

    ]Vining C B, Mahan G D 1999 J. Appl. Phys. 86 6852

    [21]

    ]Chao K A, Larsson M, Malshukov A G 2005 Appl. Phys. Lett. 87 022103

    [22]

    ]Wang X M, He J Z, Tang W 2009 Chin. Phys. B 18 98

    [23]

    ]Hu Y, Rao H B 2009 Acta. Phys. Sin. 58 3474 (in Chinese)[胡玥、饶海波 2009 物理学报 58 3474]

    [24]

    ]Niu X M, Qi Y H 2008 Acta. Phys. Sin. 57 6926 (in Chinese)[牛秀明、齐元华 2008 物理学报 57 6926]

  • [1] 邓伟胤, 朱瑞, 邓文基. 有限尺寸石墨烯的电子态. 物理学报, 2013, 62(8): 087301. doi: 10.7498/aps.62.087301
    [2] 段永华, 孙勇. (α, β , γ)-Nb5Si3电子结构和光学性质研究. 物理学报, 2012, 61(21): 217101. doi: 10.7498/aps.61.217101
    [3] 蒋雷, 王培吉, 张昌文, 冯现徉, 逯瑶, 张国莲. 超晶格SnO2掺Cr的电子结构和光学性质的研究. 物理学报, 2011, 60(9): 093101. doi: 10.7498/aps.60.093101
    [4] 于峰, 王培吉, 张昌文. Al掺杂SnO2 材料电子结构和光学性质. 物理学报, 2011, 60(2): 023101. doi: 10.7498/aps.60.023101
    [5] 顾牡, 林玲, 刘波, 刘小林, 黄世明, 倪晨. M’型GdTaO4电子结构的第一性原理研究. 物理学报, 2010, 59(4): 2836-2842. doi: 10.7498/aps.59.2836
    [6] 谭兴毅, 金克新, 陈长乐, 周超超. YFe2B2电子结构的第一性原理计算. 物理学报, 2010, 59(5): 3414-3417. doi: 10.7498/aps.59.3414
    [7] 戴满媛, 聂义友, 桑明煌, 王贤平, 殷澄, 曹庄琪. 零势场中变质量粒子的束缚能谱. 物理学报, 2010, 59(11): 7586-7590. doi: 10.7498/aps.59.7586
    [8] 刘建军. 掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响. 物理学报, 2010, 59(9): 6466-6472. doi: 10.7498/aps.59.6466
    [9] 季正华, 曾祥华, 胡永金, 谭明秋. 高压下ZnSe的电子结构和光学性质. 物理学报, 2008, 57(6): 3753-3759. doi: 10.7498/aps.57.3753
    [10] 牛秀明, 齐元华. 分子结点电子输运性质的理论研究. 物理学报, 2008, 57(11): 6926-6931. doi: 10.7498/aps.57.6926
    [11] 张金奎, 邓胜华, 金 慧, 刘悦林. ZnO电子结构和p型传导特性的第一性原理研究. 物理学报, 2007, 56(9): 5371-5375. doi: 10.7498/aps.56.5371
    [12] 徐 剑, 黄水平, 王占山, 鲁大学, 苑同锁. F掺杂SnO2电子结构的模拟计算. 物理学报, 2007, 56(12): 7195-7200. doi: 10.7498/aps.56.7195
    [13] 胡永金, 崔 磊, 赵 江, 滕玉永, 曾祥华, 谭明秋. 高压下ZnS的电子结构和性质. 物理学报, 2007, 56(7): 4079-4084. doi: 10.7498/aps.56.4079
    [14] 刘小良, 徐 慧, 马松山, 宋招权, 邓超生. 准二维无序系统的电子结构. 物理学报, 2006, 55(5): 2492-2497. doi: 10.7498/aps.55.2492
    [15] 陈丽, 李华, 董建敏, 潘凤春, 梅良模. 原子簇La8-xBaxCuO6的原子磁矩和自旋极化的电子结构研究. 物理学报, 2004, 53(1): 254-259. doi: 10.7498/aps.53.254
    [16] 杜桂强, 刘念华. 具有镜像对称结构的一维光子晶体的透射谱. 物理学报, 2004, 53(4): 1095-1098. doi: 10.7498/aps.53.1095
    [17] 张进城, 郝跃, 李培咸, 范隆, 冯倩. 基于透射谱的GaN薄膜厚度测量. 物理学报, 2004, 53(4): 1243-1246. doi: 10.7498/aps.53.1243
    [18] 宋 骏, 陈 雷, 刘德胜, 解士杰. DNA分子能带结构与电子态研究. 物理学报, 2004, 53(8): 2792-2795. doi: 10.7498/aps.53.2792
    [19] 刘晓东, 王义全, 许兴胜, 程丙英, 张道中. 具有态守恒赝隙的光子晶体中两能级原子自发辐射的增强与抑制. 物理学报, 2004, 53(1): 125-131. doi: 10.7498/aps.53.125
    [20] 柴永泉, 靳常青, 刘邦贵. 类MgB2硼化物晶体电子结构比较研究. 物理学报, 2003, 52(11): 2883-2889. doi: 10.7498/aps.52.2883
计量
  • 文章访问数:  7308
  • PDF下载量:  853
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-16
  • 修回日期:  2009-08-13
  • 刊出日期:  2010-02-05

/

返回文章
返回