搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究

高博 余学峰 任迪远 崔江维 兰博 李明 王义元

引用本文:
Citation:

p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究

高博, 余学峰, 任迪远, 崔江维, 兰博, 李明, 王义元

Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Lan Bo, Gao Bo, Cui Jiang-Wei, Li Ming, Wang Yi-Yuan, Yu Xue-Feng, Ren Di-Yuan
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  8700
  • PDF下载量:  858
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-07-14
  • 修回日期:  2010-09-09
  • 刊出日期:  2011-03-05

/

返回文章
返回