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宏观长Ag2S纳米线簇的制备及其温度电导特性和光电导特性

董占民 孙红三 许佳 李一 孙家林

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宏观长Ag2S纳米线簇的制备及其温度电导特性和光电导特性

董占民, 孙红三, 许佳, 李一, 孙家林

Fabrication, temperature-conductance and photoconductance characteristics of the macroscopic-long Ag2S nanowire bundle

Xu Jia, Dong Zhan-Min, Li Yi, Sun Jia-Lin, Sun Hong-San
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  • 以固态离子学方法制备的宏观长银(Ag)纳米线簇为基础,采用气-固反应法制备出宏观长硫化银(Ag2S)纳米线簇.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散谱(EDS)和X射线光电子能谱(XPS)等手段对样品形貌和成分进行表征.将厘米长的Ag2S纳米线簇两端涂敷金胶作为电极,并与外电路连接.在不同温度或采用不同波长的光束辐照下,测试了样品的输运性质.无光照时,在144—380 K的温度范围内,样品的电导随温度上升而非线性增大.室温下,Ag
    According to the macroscopic-long Ag nanowire bundle which is prepared by the solid-state ionics method, we fabricate a macroscopic-long Ag2S nanowire bundle using a gas-solid reaction. Their morphologies and components are characterized by the SEM, TEM, EDS and XPS. Au paints as electrodes are coated on both ends of a cm-long Ag2S nanowire bundle and then connected to an external circuit. The transport properties of the Ag2S nanowire bundle are studied at different temperatures or under the light irradiation of different wavelengths. Without light irradiation, as temperature T increases from 144 K to 380 K, the dark conductance increases nonlinearly with T. At room temperature, the significant positive photoconductivity induced by the 532 nm or 1064 nm laser is observed. These results demonstrate that Ag2S nanowire is a kind of ideal material for making the nanoscale temperature and photoelectric sensors.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10711120167)资助的课题.
    [1]

    Zhao H, Wang Y S, Hou Y B, Xu Z, Xu X R 2000 Acta Phys. Sin. 49 954 (in Chinese) [赵 辉、王永生、侯延冰、徐 征、徐叙瑢 2000 物理学报 49 954]

    [2]

    Du P, Zhang X Q, Sun X B, Yao Z G, Wang Y S 2006 Chin. Phys. 15 1370

    [3]

    Madelung O. 2004 Semiconductors: Data Handbook (3rd edition) (Berlin: Springer-Verlag) p459

    [4]

    Hodes G, Manassen J, Cahen D 1976 Nature 5559 403

    [5]

    Kitova S, Eneva J, Panov A, Haefke H 1994 J. Imaging Sci. Technol. 38 484

    [6]

    Bruhwiler D, Leiggener C, Glaus S, Calzaferri G 2002 J. Phys. Chem. B 106 3770

    [7]

    Kundu M, Terabe K, Hasegawa T, Aono M 2006 J. Appl. Phys. 99 103501

    [8]

    Du N, Zhang H, Sun H Z, Yang D R 2007 Mater. Lett. 61 235

    [9]

    Wen X G, Wang S H, Xie Y T, Li X Y, Yang S H 2005 J. Phys. Chem. B 109 10100

    [10]

    Niu X S, Liu S H, Xing R M, Wang X J, Zhang B F, Chen J J, Yang L 2007 Mater. Lett. 61 5098

    [11]

    Peng X S, Meng G W, Zhang J, Wang X R, Zhao L X, Wang Y W, Zhang L D 2002 Mater. Res. Bull. 37 1369

    [12]

    Jang K, Kim S Y, Park K H, Jang E, Jun S, Son S U 2007 Chem. Commun. 43 4474

    [13]

    Gao F, Lu Q Y, Zhao D Y 2003 Nano Lett. 3 85

    [14]

    Wang D S, Hao C H, Zheng W, Peng Q, Wang T H, Liao Z M, Yu D P, Li Y D 2008 Adv. Mater. 20 2628

    [15]

    Cao Y, Liu W, Sun J L, Han Y P, Zhang J H, Liu S, Sun H S, Guo J H 2006 Nanotechnology 17 2378

    [16]

    Zemek J, Jiricek P, Hucek S, Jablonski A, Lesiak B 2001 Surf. Sci. 473 8

    [17]

    Cava R J, Reidinger F, Wuensch B J 1980 J. Solid State Chem. 31 69

    [18]

    Cave R J, Mcwhan D B 1980 Phys. Rev. Lett. 45 2046

    [19]

    Kashida S, Watanabe N, Hasegawa T, Iida H, Mori M, Savrasov S 2003 Solid State Ionics 158 167

    [20]

    Wang Z C, Gu T K, Kadohira T, Tada T, Watanabe S 2008 J. Chem. Phys.128 014704

  • [1]

    Zhao H, Wang Y S, Hou Y B, Xu Z, Xu X R 2000 Acta Phys. Sin. 49 954 (in Chinese) [赵 辉、王永生、侯延冰、徐 征、徐叙瑢 2000 物理学报 49 954]

    [2]

    Du P, Zhang X Q, Sun X B, Yao Z G, Wang Y S 2006 Chin. Phys. 15 1370

    [3]

    Madelung O. 2004 Semiconductors: Data Handbook (3rd edition) (Berlin: Springer-Verlag) p459

    [4]

    Hodes G, Manassen J, Cahen D 1976 Nature 5559 403

    [5]

    Kitova S, Eneva J, Panov A, Haefke H 1994 J. Imaging Sci. Technol. 38 484

    [6]

    Bruhwiler D, Leiggener C, Glaus S, Calzaferri G 2002 J. Phys. Chem. B 106 3770

    [7]

    Kundu M, Terabe K, Hasegawa T, Aono M 2006 J. Appl. Phys. 99 103501

    [8]

    Du N, Zhang H, Sun H Z, Yang D R 2007 Mater. Lett. 61 235

    [9]

    Wen X G, Wang S H, Xie Y T, Li X Y, Yang S H 2005 J. Phys. Chem. B 109 10100

    [10]

    Niu X S, Liu S H, Xing R M, Wang X J, Zhang B F, Chen J J, Yang L 2007 Mater. Lett. 61 5098

    [11]

    Peng X S, Meng G W, Zhang J, Wang X R, Zhao L X, Wang Y W, Zhang L D 2002 Mater. Res. Bull. 37 1369

    [12]

    Jang K, Kim S Y, Park K H, Jang E, Jun S, Son S U 2007 Chem. Commun. 43 4474

    [13]

    Gao F, Lu Q Y, Zhao D Y 2003 Nano Lett. 3 85

    [14]

    Wang D S, Hao C H, Zheng W, Peng Q, Wang T H, Liao Z M, Yu D P, Li Y D 2008 Adv. Mater. 20 2628

    [15]

    Cao Y, Liu W, Sun J L, Han Y P, Zhang J H, Liu S, Sun H S, Guo J H 2006 Nanotechnology 17 2378

    [16]

    Zemek J, Jiricek P, Hucek S, Jablonski A, Lesiak B 2001 Surf. Sci. 473 8

    [17]

    Cava R J, Reidinger F, Wuensch B J 1980 J. Solid State Chem. 31 69

    [18]

    Cave R J, Mcwhan D B 1980 Phys. Rev. Lett. 45 2046

    [19]

    Kashida S, Watanabe N, Hasegawa T, Iida H, Mori M, Savrasov S 2003 Solid State Ionics 158 167

    [20]

    Wang Z C, Gu T K, Kadohira T, Tada T, Watanabe S 2008 J. Chem. Phys.128 014704

  • [1] 吴洋, 胡晓, 刘博文, 顾溢, 查访星. In0.52Al0.48As/InP的正向和反向异质结在带隙附近的不同光谱现象. 物理学报, 2024, 73(2): 027801. doi: 10.7498/aps.73.20231339
    [2] 闫志巾, 施卫. 太赫兹GaAs光电导天线阵列辐射特性. 物理学报, 2021, 70(24): 248704. doi: 10.7498/aps.70.20211210
    [3] 桂淮濛, 施卫. 线性模式下GaAs光电导开关的时间抖动特性. 物理学报, 2018, 67(18): 184207. doi: 10.7498/aps.67.20180548
    [4] 魏相飞, 何锐, 张刚, 刘向远. InAs/GaSb量子阱中太赫兹光电导特性. 物理学报, 2018, 67(18): 187301. doi: 10.7498/aps.67.20180769
    [5] 樊正富, 谭智勇, 万文坚, 邢晓, 林贤, 金钻明, 曹俊诚, 马国宏. 低温生长砷化镓的超快光抽运-太赫兹探测光谱. 物理学报, 2017, 66(8): 087801. doi: 10.7498/aps.66.087801
    [6] 陈小兰, 张耘, 冉启义. 掺铁铌酸锂晶体的光电导衰减特性研究. 物理学报, 2013, 62(3): 037201. doi: 10.7498/aps.62.037201
    [7] 郑鑫, 江天, 程湘爱, 江厚满, 陆启生. 波段外激光辐照光导型InSb探测器的一种新现象. 物理学报, 2012, 61(4): 047302. doi: 10.7498/aps.61.047302
    [8] 王广涛, 张敏平, 李珍, 郑立花. KCrF3中的轨道有序及其成因. 物理学报, 2012, 61(3): 037102. doi: 10.7498/aps.61.037102
    [9] 施卫, 马湘蓉, 薛红. 半绝缘GaAs光电导开关的瞬态热效应. 物理学报, 2010, 59(8): 5700-5705. doi: 10.7498/aps.59.5700
    [10] 施卫, 薛红, 马湘蓉. 半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性. 物理学报, 2009, 58(12): 8554-8559. doi: 10.7498/aps.58.8554
    [11] 贾婉丽, 施 卫, 屈光辉, 孙小芳. GaAs光电导天线辐射太赫兹波功率的计算. 物理学报, 2008, 57(9): 5425-5428. doi: 10.7498/aps.57.5425
    [12] 施 卫, 贾婉丽, 纪卫莉, 刘 锴. 光电导开关工作模式的蒙特卡罗模拟. 物理学报, 2007, 56(11): 6334-6339. doi: 10.7498/aps.56.6334
    [13] 邱圣德, 胡承正, 王爱军, 周 详. 十次对称准晶的光电导率. 物理学报, 2006, 55(2): 743-747. doi: 10.7498/aps.55.743
    [14] 束正煌, 董锦明. 轨道序对半掺杂锰氧化物光学性质的影响. 物理学报, 2003, 52(11): 2918-2922. doi: 10.7498/aps.52.2918
    [15] 张世斌, 孔光临, 徐艳月, 王永谦, 刁宏伟, 廖显伯. 微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化. 物理学报, 2002, 51(1): 111-114. doi: 10.7498/aps.51.111
    [16] 袁先漳, 裴慧元, 陆卫, 李宁, 史国良, 方家熊, 沈学础. Zn0.04Cd0.96Te中深能级的红外光电导谱研究. 物理学报, 2001, 50(4): 775-778. doi: 10.7498/aps.50.775
    [17] 张德恒, 刘云燕, 张德骏. 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导. 物理学报, 2001, 50(9): 1800-1804. doi: 10.7498/aps.50.1800
    [18] 彭景翠. 聚丁二炔(Polydiacetylene)晶体中的光电导性. 物理学报, 1993, 42(1): 142-148. doi: 10.7498/aps.42.142
    [19] 吴启, 李平. 晶粒间层势垒在硫化铅多晶薄膜光电导中的作用. 物理学报, 1962, 18(5): 259-263. doi: 10.7498/aps.18.259
    [20] 徐声, 李平. 三硫化二锑多晶薄膜的光电导性. 物理学报, 1962, 18(5): 254-258. doi: 10.7498/aps.18.254
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-21
  • 修回日期:  2010-10-26
  • 刊出日期:  2011-07-15

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