| [1] |
袁国亮, 王琛皓, 唐文彬, 张睿, 陆旭兵. HfO2基铁电薄膜的结构、性能调控及典型器件应用. 物理学报,
2023, 72(9): 097703.
doi: 10.7498/aps.72.20222221
|
| [2] |
石志鑫, 周大雨, 李帅东, 徐进, UweSchröder. 一阶回转曲线图谱法及其在HfO2基铁电薄膜极化翻转行为研究中的应用. 物理学报,
2021, 70(12): 127702.
doi: 10.7498/aps.70.20210115
|
| [3] |
代广珍, 姜永召, 倪天明, 刘鑫, 鲁麟, 刘琦. 变组分Al对HfO2阻变特性影响: 第一性原理研究. 物理学报,
2019, 68(11): 113101.
doi: 10.7498/aps.68.20181995
|
| [4] |
李超, 姚湲, 杨阳, 沈希, 高滨, 霍宗亮, 康晋锋, 刘明, 禹日成. 纳米材料及HfO2基存储器件的原位电子显微学研究. 物理学报,
2018, 67(12): 126802.
doi: 10.7498/aps.67.20180731
|
| [5] |
李海涛, 江亚晓, 涂丽敏, 李少华, 潘玲, 李文标, 杨仕娥, 陈永生. 退火温度对电子束蒸发沉积Cu2O薄膜性能的影响. 物理学报,
2018, 67(5): 053301.
doi: 10.7498/aps.67.20172463
|
| [6] |
朱乐永, 高娅娜, 张建华, 李喜峰. 溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管. 物理学报,
2015, 64(16): 168501.
doi: 10.7498/aps.64.168501
|
| [7] |
蒋先伟, 鲁世斌, 代广珍, 汪家余, 金波, 陈军宁. 电荷俘获存储器数据保持特性第一性原理研究. 物理学报,
2015, 64(21): 213102.
doi: 10.7498/aps.64.213102
|
| [8] |
蒋然, 杜翔浩, 韩祖银, 孙维登. Ti/HfO2/Pt阻变存储单元中的氧空位聚簇分布. 物理学报,
2015, 64(20): 207302.
doi: 10.7498/aps.64.207302
|
| [9] |
周大雨, 徐进. Si掺杂HfO2薄膜的铁电和反铁电性质. 物理学报,
2014, 63(11): 117703.
doi: 10.7498/aps.63.117703
|
| [10] |
汪家余, 代月花, 赵远洋, 徐建彬, 杨菲, 代广珍, 杨金. 电荷俘获存储器的过擦现象. 物理学报,
2014, 63(20): 203101.
doi: 10.7498/aps.63.203101
|
| [11] |
代广珍, 代月花, 徐太龙, 汪家余, 赵远洋, 陈军宁, 刘琦. HfO2中影响电荷俘获型存储器的氧空位特性第一性原理研究. 物理学报,
2014, 63(12): 123101.
doi: 10.7498/aps.63.123101
|
| [12] |
徐向东, 刘颖, 邱克强, 刘正坤, 洪义麟, 付绍军. HfO2顶层多层介质膜脉宽压缩光栅的离子束刻蚀. 物理学报,
2013, 62(23): 234202.
doi: 10.7498/aps.62.234202
|
| [13] |
刘华松, 季一勤, 姜玉刚, 王利栓, 冷健, 孙鹏, 庄克文. SiO2薄膜内部短程有序微结构研究. 物理学报,
2013, 62(18): 187801.
doi: 10.7498/aps.62.187801
|
| [14] |
罗银燕, 朱贤方. 电阻热蒸发镀膜与电子束蒸发镀膜对纳米球刻蚀方法制备二维银纳米阵列结构的影响. 物理学报,
2011, 60(8): 086104.
doi: 10.7498/aps.60.086104
|
| [15] |
岑忞, 章岳光, 陈卫兰, 顾培夫. 沉积速率和氧分压对HfO2薄膜残余应力的影响. 物理学报,
2009, 58(10): 7025-7029.
doi: 10.7498/aps.58.7025
|
| [16] |
许军, 黄宇健, 丁士进, 张卫. Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响. 物理学报,
2009, 58(5): 3433-3436.
doi: 10.7498/aps.58.3433
|
| [17] |
刘亮, 马小柏, 聂瑞娟, 姚丹, 王福仁. Mg/B多层膜退火法中不同制备条件对MgB2超导薄膜性质的影响. 物理学报,
2009, 58(11): 7966-7971.
doi: 10.7498/aps.58.7966
|
| [18] |
黄丽清, 潘华强, 王 军, 童慧敏, 朱 可, 任冠旭, 王永昌. 多孔氧化铝膜上自组织生长Sn纳米点阵列的研究. 物理学报,
2007, 56(11): 6712-6716.
doi: 10.7498/aps.56.6712
|
| [19] |
卢红亮, 徐 敏, 陈 玮, 任 杰, 丁士进, 张 卫. 四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究. 物理学报,
2006, 55(3): 1374-1378.
doi: 10.7498/aps.55.1374
|
| [20] |
侯海虹, 孙喜莲, 申雁鸣, 邵建达, 范正修, 易 葵. 电子束蒸发氧化锆薄膜的粗糙度和光散射特性. 物理学报,
2006, 55(6): 3124-3127.
doi: 10.7498/aps.55.3124
|
下载:
