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辐射感生应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMT电学特性的影响

范 隆 郝 跃

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辐射感生应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMT电学特性的影响

范 隆, 郝 跃

The effect of radiation induced strain relaxation on electric performance of AlmGa1-mN/GaN HEMT

Fan Long, Hao Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-03
  • 修回日期:  2006-11-16
  • 刊出日期:  2007-03-05

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