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MOSFET 辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究

李瑞珉 杜 磊 庄奕琪 包军林

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MOSFET 辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究

李瑞珉, 杜 磊, 庄奕琪, 包军林

A 1/f noise based research of radiation induced interface trap buildup process

Li Rui-Min, Du Lei, Zhuang Yi-Qi, Bao Jun-Lin
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-04
  • 修回日期:  2006-09-22
  • 刊出日期:  2007-03-05

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