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调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子

冀子武 鲁 云 陈锦祥 三野弘文 秋本良一 嶽山正二郎

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调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子

冀子武, 鲁 云, 陈锦祥, 三野弘文, 秋本良一, 嶽山正二郎

Built-in electric field and a new type of charged excitons observed in modulation-doped ZnSe/BeTe type-Ⅱ quantum well

Ji Zi-Wu, Lu Yun, Chen Jin-Xiang, Mino Hirofumi, Akimoto Ryoichi, Takeyama Shojiro
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-05-08
  • 修回日期:  2007-06-09
  • 刊出日期:  2008-01-05

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