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不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

郑玉展 陆妩 任迪远 王义元 郭旗 余学锋 何承发

引用本文:
Citation:

不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

郑玉展, 陆妩, 任迪远, 王义元, 郭旗, 余学锋, 何承发

Characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas

Zheng Yu-Zhan, Lu Wu, Ren Di-Yuan, Wang Yi-Yuan, Guo Qi, Yu Xue-Feng, He Cheng-Fa
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-18
  • 修回日期:  2009-01-08
  • 刊出日期:  2009-04-05

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