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一种测量p-GaN载流子浓度的方法

周梅 赵德刚

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一种测量p-GaN载流子浓度的方法

周梅, 赵德刚

A new method to measure the carrier concentration of p-GaN

Zhao De-Gang, Zhou Mei
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  • 提出了一种测量p-GaN载流子浓度的方法,其主要思想是利用p-n+结构GaN探测器长波和短波量子效率的差值随反向偏压的变化关系,找到p-GaN层刚好完全耗尽时的偏压,从而求出p-GaN层载流子浓度.模拟计算表明,该方法能够准确测量出p-GaN层的载流子浓度,而且受表面复合、欧姆接触影响很小.进一步研究了实际测量中如何选择p-GaN层厚度,计算结果表明,p-GaN层的优化厚度值随着p-GaN层的浓度增加而减小.
    A new method to measure the carrier concentration of p-GaN is proposed. The main idea is as follows: the difference between p-n+ structure GaN ultraviolet photodetector’s quantum efficiency at two different wavelengths varies remarkably with increasing reversed bias, and the most characteristic change occurs at a reversed voltage under which the p-GaN layer starts to be completely depleted, consequently the carrier concentration of p-GaN can be derived basing on this effect. The simulation results prove the validity of the idea even under the condition of high surface recombination velocity and bad ohmic contact. The thickness choice of p-GaN samples during the carrier concentration test experiment using this method is investigated. It is shown that the optimized thickness of p-GaN decreases with the increase of carrier concentration of p-GaN samples.
    • 基金项目: 集成光电子学国家重点实验室开放课题(批准号:IOSKL-KF200914)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2009JS46, 2009-2-05)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-05-22
  • 修回日期:  2010-07-06
  • 刊出日期:  2011-03-15

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