刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制

张雪; 范俊杰; 王勇

doi:10.7498/aps.63.227902

摘要

为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应, 研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构. 通过对槽内电场进行分析, 证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应. 利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟, 跟踪次级电子的轨迹及发展趋势, 获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度. 讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响. 该结构有望在高功率速调管中获得应用.

关键词:

In this paper, the periodic semicircle groove disk is investigated to restrain the multipactor phenomenon in high power pill-box window. Through the theoretical analysis, the semicircle groove is proved to avoid the local field enhancement, which always exists in the vicinity of the sharp boundary groove. The proper groove width with a corresponding minimal suppression tangential electric field is achieved by simulating the multipactor procedure with Monte-Carlo algorithm. The effect of normal electric field is also analyzed. This configuration is to be applied to the high power klystron.

Keywords:

作者及机构信息

1.
中国科学院电子学研究所, 中国科学院高功率微波源与技术重点实验室, 北京 100190;

2.
中国科学院大学, 北京 100149

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2013CB328901)资助的课题.

Authors and contacts

1.
Key Laboratory of High Power Microwave Sources and Technologies, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;

2.
University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100149, China

Funds: Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2013CB328901)

参考文献

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施引文献

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