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利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

李晓林 柯 敏 颜 波 唐九耀 王育竹

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利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

李晓林, 柯 敏, 颜 波, 唐九耀, 王育竹

A Z-trap in an atom chip for trapping neutral 87Rb atoms

Li Xiao-Lin, Ke Min, Yan Bo, Tang Jiu-Yao, Wang Yu-Zhu
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  • 利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时(该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级),势阱的深度不能近似表示成偏置磁场By对应的能量,而要减去囚禁中心的势能高度;而增加By进行磁阱压缩到一定值时,势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法,以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×106个87Rb原子被转移到Z形磁阱中.
    Trapping potential of a Z-trap is calculated with analytic and numeric methods. It's found that when a trapping center is a little bit far from the chip surface (the distance is about one order of the half length of the Z-wire central part), the trapping depth is not approximately eqsual to the potential By created by a bias magnetic field, the potential energy at the trapping center should be subtracted from the potential By created by the bias field. On the other hand, if an atom cloud is compressed to a certain extent by increasing By, the trapping depth will be decreased rather than increased. The preparation of the Z-trap in an atom chip, the experimental setup, and the experimental procedure for trapping neutral 87Rb atoms is also introduced. At last we obtained 2×106 87Rb atoms trapped in the Z-trap.
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号10334050和10474105) 和国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:2006CB921202)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-24
  • 修回日期:  2007-04-16
  • 刊出日期:  2007-11-20

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