搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构

梁 双 吕燕伍

引用本文:
Citation:

有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构

梁 双, 吕燕伍

The calculation of electronic structure in GaN/AlN quantum dots with finite element method

Liang Shuang, Lü Yan-Wu
PDF
导出引用
  • 根据有效质量理论单带模型,采用有限元方法(FEM)计算了GaN/AlN量子点结构中的电子结构,分析了应变和极化对电子结构的影响,计算了不同尺寸的量子点的能级,分析了量子点的大小对电子能级的影响. 结果表明,形变势和压电势提升了电子能级,而且使简并能级分裂. 随着量子点尺寸的增大,量子限制能减小,而压电势能起到更显著的作用,使电子的能级降低,吸收峰发生红移.
    We investigate electronic structure theoretically in strained GaN/AlN quantum dots (QDs) with wurtzite (WZ) crystal structure. The QD electron energy levels are calculated using the finite element method (FEM) in the framework of effective mass approximation (EMA). We analyze the influence of strain and polarization to the electron energy levels and calculate electron energy levels with different dot sizes. It is shown that the strain dependent deformation potential and piezoelectric potential increase the electron energy levels and split the degenerate states. The electron energy levels decreases rapidly with increasing QD height, which is partly due to the confinement energy reduction. However, the piezoelectric field makes a more significant contribution.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60376014)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  7344
  • PDF下载量:  1163
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-04
  • 修回日期:  2006-09-20
  • 刊出日期:  2007-07-11

/

返回文章
返回