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ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究

王艳新 张琦锋 孙 晖 常艳玲 吴锦雷

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ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究

王艳新, 张琦锋, 孙 晖, 常艳玲, 吴锦雷

Fabrication of ZnO nanowire-based diodes and their light-emitting properties

Wang Yan-Xin, Zhang Qi-Feng, Sun Hui, Chang Yan-Ling, Wu Jin-Lei
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  • 运用液相法生长成ZnO纳米线薄膜,并利用肖特基型异质结的发光原理,构造成功肖特基型ZnO纳米线二极管发光器件.在大于6V直流电压驱动下,观察到近紫外波段392nm处和可见光波段525nm的发射谱带.从单向导电特性及ZnO纳米线材料的能带结构等方面探讨了该种器件的电致发光机理.
    A Schottky type light-emitting diode of ZnO nanowire was fabricated based on the principle of luminescence of Schottky barrier heterojunction. Driven by a voltage of above 6 V, an EL spectrum was obtained. The spectrum consisted of two peaks: one is centered at a wavelength of the ultraviolet 392nm, and the other at the visible 525nm. The mechanism of electroluminescence of this device was analyzed according to the rectifying I-V curve and the energy band structure.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:2001CB610503),国家自然科学基金(批准号:60471007, 50672002)和北京市自然科学基金(批准号:4042017)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-02-23
  • 修回日期:  2007-03-28
  • 刊出日期:  2008-01-05

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