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AlxGa1-xN/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响

雷双瑛 沈 波 张国义

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AlxGa1-xN/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响

雷双瑛, 沈 波, 张国义

Influence of structure and doping concentration of AlxGa1-xN/GaN double quantum wells on wavelength and absorption coefficient of intersubband transitions

Lei Shuang-Ying, Shen Bo, Zhang Guo-Yi
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-18
  • 修回日期:  2007-09-06
  • 刊出日期:  2008-02-05

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