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氮化镓基发光二极管结构中粗化 p型氮化镓层的新型生长方法

李水清 汪莱 韩彦军 罗毅 邓和清 丘建生 张洁

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氮化镓基发光二极管结构中粗化 p型氮化镓层的新型生长方法

李水清, 汪莱, 韩彦军, 罗毅, 邓和清, 丘建生, 张洁

A new growth method of roughed p-GaN in GaN-based light emitting diodes

Li Shui-Qing, Wang Lai, Han Yan-Jun, Luo Yi, Deng He-Qing, Qiu Jian-Sheng, Zhang Jie
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  • 提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大. 经实际制作尺寸为12 mil×10 mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题.
    A new growth method of roughed p-GaN has been demonstrated in this paper. First, some crystal seeds of p-GaN are obtained by utilizing low-temperature growth. Then, a p-GaN high-temperature expitaxy layer is grown on it subsequently with a fast growth rate, which will enlarge the roughness degree. Compared with the luminous flux of the conventional light emitting diode with flat p-GaN, the luminous flux is improved by 45%. Meanwhile, it is found that the problems of large reverse current and high forward bias aroused by the low-temperature epitaxy are also solved.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:2011CB301902, 2011CB301903),国家自然科学基金(批准号:60723002, 50706022, 60977022, 51002085),国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2007AA05Z429, 2008AA03A194)和北京市自然科学基金(批准号:4091001)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-12-07
  • 修回日期:  2010-12-13
  • 刊出日期:  2011-09-15

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