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深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响

王德宁 沈彭年 王渭源

引用本文:
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深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响

王德宁, 沈彭年, 王渭源

THE EFFECT OF DEEP LEVEL TRAP ON PHOTO-TRANSIENT CHARACTERISTICS, EQUIVALENT NOISE CURRENT AND INCREMENT OF DRAIN CURRENT FOR FET

WANG DE-NING, SHEN PENG-NIAN, WANG WEI-YUAN
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-10-21
  • 刊出日期:  1987-05-05

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