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高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

常虎东 孙兵 卢力 赵威 王盛凯 王文新 刘洪刚

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高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究

常虎东, 孙兵, 卢力, 赵威, 王盛凯, 王文新, 刘洪刚

Study on high mobility In0.6Ga0.4As channel MOSHEMT and MOSFET

Chang Hu-Dong, Sun Bing, Lu Li, Zhao Wei, Wang Sheng-Kai, Wang Wen-Xin, Liu Hong-Gang
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-08
  • 修回日期:  2012-05-11
  • 刊出日期:  2012-11-05

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