位移辐射效应对量子阱激光器性能的影响

马晶; 车驰; 韩琦琦; 周彦平; 谭立英

doi:10.7498/aps.61.214211

摘要

使用加速器对量子阱半导体激光器进行了总通量110-16 cm-2的电子辐照实验. 辐射实验结果表明, 在辐射环境下激光器的输出功率下降、阈值电流增加. 从理论上分析了位移效应对量子阱激光器的影响, 并推导了电子通量与相对阈值电流变化、相对输出功率变化的函数关系式. 该公式的计算结果与实验测试结果符合很好, 有效地反映了电子辐照环境下激光器的性能变化趋势. 该公式可用于预测激光器在辐射环境下的性能变化, 有着较大实际应用价值.

关键词:

Abstract

Quantum well lasers are irradiated by electrons with a total fluence of 1 10-16 cm-2. The output power is reduced and the threshold current is increased under electron irradiation. The displacement damage effect on quantum well laser is analyzed theoretically and we deduce the relationship between the radiation induced output power and threshold current change and the electron fluence. The formula fits the experiment data very well, and can describe the change trend of the laser performance under electron irradiation, it can also predict the behavior of quantum well laser under radiation environment and is valuable for practical application.

Keywords:

作者及机构信息

1.
哈尔滨工业大学可调谐激光技术国防重点实验室, 哈尔滨 150001

Authors and contacts

1.
National Key Laboratory of Tunable Laser Technology, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China

参考文献

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施引文献

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