等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质

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等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质

程珊华 , 宁兆元 , 黄峰

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等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质

程珊华, 宁兆元, 黄峰

物理学报, 2002, 51(3): 668-673.

doi: 10.7498/aps.51.668

Cheng Shan-Hua, Ning Zhao-Yuan, Huang Feng

Acta Phys. Sin., 2002, 51(3): 668-673.

doi: 10.7498/aps.51.668

摘要
采用直流辉光CF4O2等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜,经过真空退火处理薄膜的电阻率达到18×10-3Ω·cm,透光率高于80%.研究了掺氟量和退火温度对薄膜电阻率和透光率的影响,结果表明:氟的掺入增加了载流子浓度,使得薄膜的电阻率明显下降,而薄膜的透光率变差,但是可以通过真空退火处理使其得到显著的改善,掺氟量越大需要的退火温度越高.X射线衍射分析说明,氟的掺入使薄膜的无序度增加;退火处理提高了薄膜的结晶状况,改善了薄膜的透光性能,同时也没有增加薄膜的电阻率.

关键词:
透明导电薄膜 /

氟掺杂 /

等离子体增强反应蒸发沉积
Abstract
Keywords:
/

/
作者及机构信息
程珊华,

宁兆元,

黄峰

1.
苏州大学物理系,苏州215006

基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :10 175 048)资助的课题~
Authors and contacts
Cheng Shan-Hua,

Ning Zhao-Yuan,

Huang Feng

1.
苏州大学物理系,苏州215006
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第51卷，第3期 - 2002年02月05日

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