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SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

杨林安 张义门 于春利 张玉明

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SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

杨林安, 张义门, 于春利, 张玉明

Trapping effect modeling for SiC power MESFETs

Yang Lin-An, Zhang Yi-Men, Yu Chun-Li, Zhang Yu-Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-03-31
  • 修回日期:  2002-06-02
  • 刊出日期:  2003-01-05

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