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晶体生长的层错机制及其生长动力学

闵乃本 砂川一郎 塚本■男

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晶体生长的层错机制及其生长动力学

闵乃本, 砂川一郎, 塚本■男

THE STACKING FAULT GROWTH MECHANISM AND ITS KINETICS

MIN NAI-BEN, I. SUNAGAWA, K. TSUKAMOTO
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  • 面心立方晶体中层错矢量为1/6和1/3的堆垛层错在生长面{111}上的露头处产生了亚台阶(sub-step)。基于亚台阶的原子图象的分析,本文讨论了层错生长机制及其生长动力学,证明了亚台阶处的成核势垒总是小于二维成核势垒,解释了近年来所观察到的堆垛层错作为生长台阶源的实验事实。
    The atomic configurations of sub-steps created on (111) growth surface of fee crystal by stacking faults with fault vectors 1/6〈112〉and 1/3〈111〉show that they can act as growth step sources. Growth kinetics of stacking fault growth mechanism has been analysed. It has been shown that the nucleation barrier at the sub-steps is always smaller than that of the 2-di-mensional nucleation.
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-08-18
  • 刊出日期:  2005-07-06

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