搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析

刘家璐 张廷庆 李建军 赵元富

引用本文:
Citation:

BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析

刘家璐, 张廷庆, 李建军, 赵元富

SIMS ANALYSIS OF MIGRATION CHARACTERISTICS OF FLUORINE IN BF2+ IMPLANTED POLY-Si GATE UNDER CONVENTIONAL THERMAL ANNEALING

LIU JIA-LU, ZHANG TING-QING, LI JIAN-JUN, ZHAO YUAN-FU
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  6806
  • PDF下载量:  731
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1996-11-04
  • 刊出日期:  1997-04-05

/

返回文章
返回