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利用形式散射理论，采用次近邻的紧束缚模型计算了CdTe（110）弛豫表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，并给出了表面能带．所得到的结果与实验和第一原理计算结果符合得很好．通过分析表面态的变化，指出表面发生弛豫的原因主要是阴阳离子的p态电子的相互作用加强所致．By using the method of phenomenological scattering thoery,we have calculated the electronic structure of the CdTe(110) relaxed surface.The results are in good agreement with the experiments and other calculations.By analyzing the results we have discussed the origin of relaxation of CdTe(110) surface.
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