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退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响

赵谦 王波 严辉 久米田稔 清水立生

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退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响

赵谦, 王波, 严辉, 久米田稔, 清水立生

Annealing effect on the photoluminescence and dangling bonddensity in erbium-doped hydrogenated amorphous silicon

Zhao Qian, Wang Bo, Yan Hui, M.Kumeda, T.Shimizu
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-03-12
  • 修回日期:  2003-04-04
  • 刊出日期:  2004-01-15

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