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射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜

林洪峰 谢二庆 马紫微 张 军 彭爱华 贺德衍

引用本文:
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射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜

林洪峰, 谢二庆, 马紫微, 张 军, 彭爱华, 贺德衍

Study of 3C-SiC and 4H-SiC films deposited using RF sputtering method

Lin Hong-Feng, Xie Er-Qing, Ma Zi-Wei, Zhang Jun, Peng Ai-Hua, He De-Yan
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-07-18
  • 修回日期:  2004-04-13
  • 刊出日期:  2004-04-05

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