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Ti1-xCoxO2铁磁性半导体薄膜研究

宋红强 陈延学 任妙娟 季 刚

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Ti1-xCoxO2铁磁性半导体薄膜研究

宋红强, 陈延学, 任妙娟, 季 刚

Study of ferromagnetic semiconductor films: Ti1-xCoxO2

Song Hong-Qiang, Chen Yan-Xue, Ren Miao-Juan, Ji Gang
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  • 利用射频磁控反应溅射制备了Ti1-xCoxO2薄膜样品.超导量子干涉仪(SQUID)测量了样品在常温,低温下的磁特性.结果显示样品在常温下已经具有明显的铁磁性.常温时其矫顽力32×103A/m,饱和磁化强度55emu/cm3磁性元素的磁矩达0679μB/Co.饱和场12×104A/m.x射线衍射(XRD)和x射线光电子能谱(XPS)实验分析初步表明样品中没有钴颗粒.
    Co-doped TiO2 ferromagnetic semiconductor flms were prepared by rf co-sputteri ng method and then annealed in vacuum at 300℃ for 2 h. Superconducting quantum interference device (SQUID) measurements indicate that the samples are ferromagn etic and the Curie temperature is above 300K. The saturation magnetization, coer civity, and saturation field are 55emu/cm3, 400×80A/m and 1500×80A/m at room temperature, respectively. And the magnetic moment was observed to be 0679 μB/Co. No pure Co metal grains were found by x-ray diffraction and x-ray p hotoemission spectroscopy measurements.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50171036,10234010)和国家重点基础研究发展计划(批准号:973011CB610603)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-12-23
  • 修回日期:  2004-06-09
  • 刊出日期:  2005-01-19

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