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AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

郝 跃 韩新伟 张进城 张金凤

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AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

郝 跃, 韩新伟, 张进城, 张金凤

Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias

Hao Yue, Han Xin-Wei, Zhang Jin-Cheng, Zhang Jin-Feng
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-05
  • 修回日期:  2006-02-17
  • 刊出日期:  2006-07-20

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