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氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

赖云锋 冯 洁 乔保卫 凌 云 林殷茵 汤庭鳌 蔡炳初 陈邦明

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氮掺杂Ge2Sb2Te5相变存储器的多态存储功能

赖云锋, 冯 洁, 乔保卫, 凌 云, 林殷茵, 汤庭鳌, 蔡炳初, 陈邦明

Multiple-state storage capability of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 film for phase change memory

Lai Yun-Feng, Feng Jie, Qiao Bao-Wei, Ling Yun, Lin Yin-Yin, Tang Ting-Ao, Cai Bing-Chu, Chen Bang-Ming
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  • 通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(N-GST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5 (GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用N-GST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.
    Nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 (N-GST) film for phase change memory was prepared by reactive sputtering. Testing results show that doped nitrogen combines with Ge to form GeN, which not only restrains crystal grain growth but also increases the crystallization temperature and phase transformation temperature of Ge2Sb2Te5 (GST). Phase change memory (PCM) with N-GST can realize three-state storage in one PCM cell by using the resistivity difference between the amorphous state, the face centered cubic phase and the hexagonal phase of GST.
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-06
  • 修回日期:  2006-03-28
  • 刊出日期:  2006-04-05

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