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AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析

魏 巍 郝 跃 冯 倩 张进城 张金凤

引用本文:
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AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析

魏 巍, 郝 跃, 冯 倩, 张进城, 张金凤

Geometrical optimization of AlGaN/GaN field-plate high electron mobility transistor

Wei Wei, Hao Yue, Feng Qian, Zhang Jin-Cheng, Zhang Jin-Feng
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-08-25
  • 修回日期:  2007-11-05
  • 刊出日期:  2008-02-05

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