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高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究

侯清玉 张 跃 张 涛

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高氧空位简并锐钛矿TiO2半导体电子寿命的第一性原理研究

侯清玉, 张 跃, 张 涛

First principle study on the electron life span of degenerate anatase phase TiO2 semi-conductor with high concentration of oxygen vacancies

Hou Qing-Yu, Zhang Yue, Zhang Tao
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-12-21
  • 修回日期:  2008-02-21
  • 刊出日期:  2008-05-28

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