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高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究

谷文萍 郝跃 张进城 王冲 冯倩 马晓华

引用本文:
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高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究

谷文萍, 郝跃, 张进城, 王冲, 冯倩, 马晓华

Degradation under high-field stress and gate stress of AlGaN/GaN HEMTs

Gu Wen-Ping, Hao Yue, Zhang Jin-Cheng, Wang Chong, Feng Qian, Ma Xiao-Hua
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-07-07
  • 修回日期:  2008-08-14
  • 刊出日期:  2009-01-20

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