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器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响

邓懿 赵德刚 吴亮亮 刘宗顺 朱建军 江德生 张书明 梁骏吾

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器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响

邓懿, 赵德刚, 吴亮亮, 刘宗顺, 朱建军, 江德生, 张书明, 梁骏吾

Effects of AlGaN layer parameter on ultraviolet response of n+-GaN/i-AlxGa1-xN/n+-GaN structure ultraviolet-infrared photodetector

Deng Yi, Zhao De-Gang, Wu Liang-Liang, Liu Zong-Shun, Zhu Jian-Jun, Jiang De-Sheng, Zhang Shu-Ming, Liang Jun-Wu
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-29
  • 修回日期:  2010-07-08
  • 刊出日期:  2010-06-05

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