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均匀掺杂GaAs材料光电子的输运性能研究

任玲 常本康 侯瑞丽 王勇

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均匀掺杂GaAs材料光电子的输运性能研究

任玲, 常本康, 侯瑞丽, 王勇

Transport characteristic of photoelectrons in uniform-doping GaAs photocathode

Ren Ling, Chang Ben-Kang, Hou Rui-Li, Wang Yong
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  • 通过建立原子结构的理论模型和电离杂质散射理论公式,研究了光电子在透射式均匀掺杂GaAs光电阴极体内的输运过程,分析了光电阴极的掺杂浓度、发射层厚度、电子扩散长度等相关因素对阴极出射面的弥散圆斑以及到达阴极出射面的光电子数与激发光电子总数之比的影响.计算结果表明,当透射式均匀掺杂GaAs光电阴极发射层厚度为2 m、电子扩散长度为3.6 m、掺杂浓度为11019 cm-3时,其极限线分辨率为769 mm-1.此GaAs材料光电子的输运性能
    The transport of photoelectrons in a uniform-doping transmission-mode GaAs photocathode is calculated by establishing the models of atomic configuration and ionized impurity scattering. And the influence of the doping concentration of photocathode, the photocathode thickness, the electron diffusion length on the diffused circle and the ratio of the number of photoelectrons reaching the emit-surface to the number of exited photoelectrons at the back-interface of GaAs photocathode are analyzed. The calculated results show that the limiting linear resolution is 769 mm-1 with the cathode thickness being 2 m, the electron diffusion length 3.6 m and the uniform-doping concentration 11019 cm-3. The research on the transport of photoelectrons is worthwhile for preparing the high-performance GaAs cathode and improving the resolution of intensifier image.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60678043)和江苏省高等学校研究生科研创新计划(批准号: CX09B-096Z)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-28
  • 修回日期:  2010-12-15
  • 刊出日期:  2011-04-05

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