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Sr掺杂钙钛矿型氧化物Y1-xSrxCoO3的溶胶-凝胶制备及电阻率温度关系研究

刘义 张清 李海金 李勇 刘厚通

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Sr掺杂钙钛矿型氧化物Y1-xSrxCoO3的溶胶-凝胶制备及电阻率温度关系研究

刘义, 张清, 李海金, 李勇, 刘厚通

Temperature dependence of electrical resistivity for Sr-doped perovskite-type oxide Y1-xSrxCoO3 prepared by sol-gel process

Liu Yi, Zhang Qing, Li Hai-Jin, Li Yong, Liu Hou-Tong
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  • 采用溶胶-凝胶方法成功制备了Sr的替代化合物Y1-xSrxCoO3 (x=0, 0.01, 0.05, 0.10, 0.15, 0.20), 系统地研究了20–720 K温度范围内Y1-xSrxCoO3的电阻率温度关系. 研究表明, 随着Sr的替代含量的增加, Y1-xSrxCoO3的电阻率迅速地降低, 这主要是由于载流子浓度的增加引起. 样品x=0和0.01在低于330和260 K的温度范围内, 电阻率与温度之间满足指数关系lnρ∝1/T, 获得导电激活能分别为0.2950和0.1461 eV. 然而, 实验显示lnρ∝1/T关系仅成立于重掺杂样品的高温区; 在低温区莫特定律lnρ∝T-1/4成立, 且表明重掺杂引入势垒, 导致大量局域态的形成. 根据莫特T-1/4定律拟合实验数据, 评估了局域态密度N(EF), 它随着掺杂量的增加而增加.
    The temperature dependences of electrical resistivity for Sr-substituted compounds Y1-xSrxCoO3 (x=0, 0.01, 0.05, 0.10, 0.15, 0.20), prepared successfully by sol-gel process, are investigated in a temperature range from 20 to 720 K. The results indicate that with the increase of doping content of Sr the resistivity of Y1-xSrxCoO3 decreases remarkably, which is found to be caused by the increase of carrier concentration. In a temperature range below 330 and 260 K for the sample x=0 and 0.01, the relationship of resistivity versus temperature processes exponential relationship lnρ∝1/T, with conduction activation energy 0.2950 and 0.1461 eV for the sample x=0 and 0.01 respectively. Moreover, experiments show that the relationship lnρ∝1/T exists only in high-temperature regime for the heavily doped samples; at low temperatures Mott’s law lnρ∝T-1/4 is observed, indicating that heavy doping produces strong potential, which leads to the formation of considerable localized state. By fitting the experimental data to Mott’s T-1/4 law, the density of localized states N(EF) at Fermi level is estimated, which is found to increase with doping content increasing.
    • 基金项目: 中国科学院新型薄膜太阳电池重点实验室开放研究基金(批准号:KF201101)、安徽省高等学校省级自然科学重点研究项目(批准号:KJ2011A053)、安徽省高等学校省级自然科学研究项目(批准号:KJ2012Z034)和国家自然科学基金(批准号:51202005,11204005,41075027)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the Key Lab of Novel Thin Film Solar Cells, Chinese Academy of Sciences (Grant No. KF201101), the Key Foundation of Natural Science of Higher Education Institutions of Anhui Province, China (Grant No. KJ2011A053), the Provincial Science Foundation of Higher Education Institutions of Anhui, China (Grant No. KJ2012Z034), and the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 51202005, 11204005, 41075027).
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-08-22
  • 修回日期:  2012-09-27
  • 刊出日期:  2013-02-05

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