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300 eV–1 GeV质子在硅中非电离能损的计算

朱金辉 韦源 谢红刚 牛胜利 黄流兴

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300 eV–1 GeV质子在硅中非电离能损的计算

朱金辉, 韦源, 谢红刚, 牛胜利, 黄流兴

Numerical investigation of non-ionizing energy loss of proton at an energy range of 300 eV to 1 GeV in silicon

Zhu Jin-Hui, Wei Yuan, Xie Hong-Gang, Niu Sheng-Li, Huang Liu-Xing
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-09-22
  • 修回日期:  2013-11-28
  • 刊出日期:  2014-03-05

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