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As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响

杨新荣 周晓静 王海飞 郝美兰 谷云高 赵尚武 徐波 王占国

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As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响

杨新荣, 周晓静, 王海飞, 郝美兰, 谷云高, 赵尚武, 徐波, 王占国

Effect of As pressure-modulated InAlAs superlattice on the morphology of InAs nanostructures grown on InAs/InAlAs/InP

Yang Xin-Rong, Zhou Xiao-Jing, Wang Hai-Fei, Hao Mei-Lan, Gu Yun-Gao, Zhao Shang-Wu, Xu Bo, Wang Zhan-Guo
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  • 利用固源分子束外延设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料, 探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响. 结果表明, As压调制的InAlAs超晶格能控制InAs量子线的形成, 导致高密度均匀分布的量子点的生长. 结果有利于进一步理解量子点形貌控制机理. 分析认为, InAs纳米结构的形貌主要由InAlAs层的各向异性应变分布和In吸附原子的各向异性扩散所决定.
    InAs/InAlAs/InP(001) nanostructure materials are grown using solid-source molecular beam epitaxy equipment. Effect of As pressure-modulated InAlAs superlattice on the morphology of InAs nanostructure is investigated. The results show that As pressure-modulated InAlAs superlattice can suppress the quantum wires formation and results in quantum dot growth with a uniform size distribution. The analysis indicates that the morphology of InAs nanostructure is caused mainly by the anisotropic strain relaxation of InAlAs layers and the anisotropic surface migration of In adatoms.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60990315), 河北省科学技术研究与发展指导(批准号: Z2010112)、河北省科技支撑计划(批准号: 10213936, 10213938)、河北省自然科学基金(批准号: E2012109001)、邯郸市科学技术研究与发展计划(批准号: 1121120069-5, 1121103183)和河北省邯郸学院博士科研启动经费项目(批准号: 2009002, 2010005, 2010007)资助的课题.
    • Funds: Project support by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60990315), the Hebei Province Department of Education Science and Research Project Found, China (Grant No. Z2010112), the Hebei Province Science and Technology Program of China (Grant Nos. 10213936, 10213938), the National Natural Science Foundation of Hebei Province, China (Grant No. E2012109001), the Handan Science and Technology Research and Development Project, China (Grant Nos. 1121120069-5, 1121103183) and the Doctor Foundation of the Handan College, China (Grant Nos. 2009002, 2010005, 2010007).
    [1]

    Arakawa Y, Sakaki H 1998 Appl. Phys. Lett. 40 939

    [2]

    Zhang S Z, Ye X L, Xu B, Liu S M, Zhou W F, Wang Z G 2013 Chin. Phys. Lett. 30 087804

    [3]

    L X Q, Jin P, Chen H M, Wu Y H, Wang F F, Wang Z G 2013 Chin. Phys. Lett. 30 118102

    [4]

    Weber A, Gauthier-Lafaye O, Julien F H, Brault J, Gendry M, Desiéres Y, Benyattou T 1999 Appl. Phys. Lett. 74 413

    [5]

    Finkman E, Maimon S, Immer V, Bahir G, Schacham S E, Fossard F, Julien F H, Brault J, Gendry M 2001 Phys. Rev. B 63 045323

    [6]

    Shin B, Lin A, Lappo K, Goldman R S, Hanna M C, Francoeur S, Norman A G, Mascarenhas A 2002 Appl. Phys. Lett. 80 3292

    [7]

    Zhao F A, Chen Y H, Ye X L, Jin P, Xu B, Wang Z G, Zhang C L 2004 J. Phys. Condens. Matter 16 7603

    [8]

    Li Y F, Lin F, Xu B, Liu F Q, Ye X L, Ding D, Wang Z G 2001 J. Cryst. Growth 223 518

    [9]

    Fafard S, Wasilewski Z, McLaffrey J, Raymond S 1996 Appl. Phys. Lett. 68 991

    [10]

    Li H X, Wu J, Wang Z G 1999 Appl. Phys. Lett. 75 1173

    [11]

    Strel V V, Lytvyn P M, Kolomys A F, Valakh M Y, Mazur Y I, Wang Z M, Salamo G J 2007 Semiconductor 4173

    [12]

    Jiao Y H, Wu J, Xu B, Jin P, Hu L J, Liang L Y, Ren Y Y, Wang Z G 2006 Nanotechnology 17 5846

    [13]

    Zhang Z H, Cheng K Y 2003 Appl. Phys. Lett. 83 3183

    [14]

    Brault J, Gendry M, Grenet G 2002 J. Appl. Phys. 92 506

    [15]

    Zhang S B, Zunger A 1996 Phys. Rev. B 53 1343

    [16]

    Cotta M A, Hamm R A, Staley T W, Chu S N G, Harriott L R, Panish M B 1993 Phys. Rev. Lett. 70 4106

    [17]

    Horikoshi Y, Yamaguchi H, Briones F, Kawashima M 1990 J. Cryst. Growth 105 326

    [18]

    Praseuth J P, Goldstein L, Henoc P, Primot J 1987 J. Appl. Phys. 61 215

    [19]

    Konkar A, Madhukar A, Chen P 1998 Appl. Phys. Lett. 72 220

    [20]

    Glas F 1987 J. Appl. Phys. 62 3201

  • [1]

    Arakawa Y, Sakaki H 1998 Appl. Phys. Lett. 40 939

    [2]

    Zhang S Z, Ye X L, Xu B, Liu S M, Zhou W F, Wang Z G 2013 Chin. Phys. Lett. 30 087804

    [3]

    L X Q, Jin P, Chen H M, Wu Y H, Wang F F, Wang Z G 2013 Chin. Phys. Lett. 30 118102

    [4]

    Weber A, Gauthier-Lafaye O, Julien F H, Brault J, Gendry M, Desiéres Y, Benyattou T 1999 Appl. Phys. Lett. 74 413

    [5]

    Finkman E, Maimon S, Immer V, Bahir G, Schacham S E, Fossard F, Julien F H, Brault J, Gendry M 2001 Phys. Rev. B 63 045323

    [6]

    Shin B, Lin A, Lappo K, Goldman R S, Hanna M C, Francoeur S, Norman A G, Mascarenhas A 2002 Appl. Phys. Lett. 80 3292

    [7]

    Zhao F A, Chen Y H, Ye X L, Jin P, Xu B, Wang Z G, Zhang C L 2004 J. Phys. Condens. Matter 16 7603

    [8]

    Li Y F, Lin F, Xu B, Liu F Q, Ye X L, Ding D, Wang Z G 2001 J. Cryst. Growth 223 518

    [9]

    Fafard S, Wasilewski Z, McLaffrey J, Raymond S 1996 Appl. Phys. Lett. 68 991

    [10]

    Li H X, Wu J, Wang Z G 1999 Appl. Phys. Lett. 75 1173

    [11]

    Strel V V, Lytvyn P M, Kolomys A F, Valakh M Y, Mazur Y I, Wang Z M, Salamo G J 2007 Semiconductor 4173

    [12]

    Jiao Y H, Wu J, Xu B, Jin P, Hu L J, Liang L Y, Ren Y Y, Wang Z G 2006 Nanotechnology 17 5846

    [13]

    Zhang Z H, Cheng K Y 2003 Appl. Phys. Lett. 83 3183

    [14]

    Brault J, Gendry M, Grenet G 2002 J. Appl. Phys. 92 506

    [15]

    Zhang S B, Zunger A 1996 Phys. Rev. B 53 1343

    [16]

    Cotta M A, Hamm R A, Staley T W, Chu S N G, Harriott L R, Panish M B 1993 Phys. Rev. Lett. 70 4106

    [17]

    Horikoshi Y, Yamaguchi H, Briones F, Kawashima M 1990 J. Cryst. Growth 105 326

    [18]

    Praseuth J P, Goldstein L, Henoc P, Primot J 1987 J. Appl. Phys. 61 215

    [19]

    Konkar A, Madhukar A, Chen P 1998 Appl. Phys. Lett. 72 220

    [20]

    Glas F 1987 J. Appl. Phys. 62 3201

  • [1] 曹文彧, 张雅婷, 魏彦锋, 朱丽娟, 徐可, 颜家圣, 周书星, 胡晓东. 超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用. 物理学报, 2024, 73(7): 077201. doi: 10.7498/aps.73.20231677
    [2] 尤明慧, 李雪, 李士军, 刘国军. 晶格匹配InAs/AlSb超晶格材料的分子束外延生长研究. 物理学报, 2023, 72(1): 014203. doi: 10.7498/aps.72.20221383
    [3] 杜安天, 刘若涛, 曹春芳, 韩实现, 王海龙, 龚谦. 利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计. 物理学报, 2023, 72(12): 128101. doi: 10.7498/aps.72.20230270
    [4] 侯海燕, 姚慧, 李志坚, 聂一行. 磁性硅烯超晶格中电场调制的谷极化和自旋极化. 物理学报, 2018, 67(8): 086801. doi: 10.7498/aps.67.20180080
    [5] 吕江涛, 赵玉倩, 宋爱娟, 杨琳娟, 张杨宇, 刘艳, 谷琼婵, 姜潇潇, 马振鹤, 王凤文, 司光远. 超小间距纳米柱阵列中的谐振调制. 物理学报, 2013, 62(23): 237806. doi: 10.7498/aps.62.237806
    [6] 孙伟峰, 郑晓霞. 第一原理研究界面弛豫对InAs/GaSb超晶格界面结构、能带结构和光学性质的影响. 物理学报, 2012, 61(11): 117301. doi: 10.7498/aps.61.117301
    [7] 孙伟峰, 郑晓霞. (InAs)1/(GaSb)1超晶格纳米线第一原理研究. 物理学报, 2012, 61(11): 117103. doi: 10.7498/aps.61.117103
    [8] 尚杰, 张辉, 曹明刚, 张鹏翔. 氧压对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜晶格常数的影响及BaTiO3/Ba0.6Sr0.4TiO3超晶格的制备. 物理学报, 2011, 60(1): 016802. doi: 10.7498/aps.60.016802
    [9] 李志华, 王文新, 刘林生, 蒋中伟, 高汉超, 周均铭. As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响. 物理学报, 2007, 56(3): 1785-1789. doi: 10.7498/aps.56.1785
    [10] 程兴奎, 周均铭, 黄绮. 超晶格结构中电子的波动性. 物理学报, 2001, 50(3): 536-539. doi: 10.7498/aps.50.536
    [11] 郭 永, 顾秉林. 超晶格结构中共振劈裂的普遍性. 物理学报, 1999, 48(9): 1733-1744. doi: 10.7498/aps.48.1733
    [12] 陈建新, 李爱珍, 任尧成, K.Friedland. 赝配InGaAs/InAlAs调制掺杂异质结构的Shubnikov-de Haas振荡. 物理学报, 1998, 47(5): 796-801. doi: 10.7498/aps.47.796
    [13] 柯三黄, 黄美纯, 王仁智. 应变层超晶格(InAs)n/(GaAs)n的电子结构与价带能量不连续性. 物理学报, 1995, 44(7): 1129-1136. doi: 10.7498/aps.44.1129
    [14] 乔皓, 资剑, 徐至中, 张开明. 形变超晶格Si/Ge的能带结构. 物理学报, 1993, 42(8): 1317-1323. doi: 10.7498/aps.42.1317
    [15] 柯三黄, 王仁智, 黄美纯. 应变层超晶格(InAs)n(InP)n(001)电子结构的LMTO计算. 物理学报, 1993, 42(10): 1635-1641. doi: 10.7498/aps.42.1635
    [16] 资剑, 张开明. (Si)n/(Ge)n超晶格几何结构. 物理学报, 1990, 39(10): 1640-1646. doi: 10.7498/aps.39.1640
    [17] 项金真, 夏建白. 磁场下超晶格的子带结构及光跃迁. 物理学报, 1988, 37(12): 1915-1924. doi: 10.7498/aps.37.1915
    [18] 庞根弟, 熊诗杰, 蔡建华. 界面扩散对超晶格电子结构的影响. 物理学报, 1986, 35(7): 961-964. doi: 10.7498/aps.35.961
    [19] 庞根弟, 熊诗杰, 蔡建华. 界面失配和超晶格结构. 物理学报, 1986, 35(3): 408-412. doi: 10.7498/aps.35.408
    [20] 熊诗杰. 无序对金属超晶格电子结构的影响——CPA方法. 物理学报, 1985, 34(6): 774-783. doi: 10.7498/aps.34.774
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-07-08
  • 修回日期:  2014-10-22
  • 刊出日期:  2015-03-05

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