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By using photoluminescence (PL) and time-resolved PL spectra， the optical properties of single InAs quantum dot (QD) embedded in the p-i-n structure have been studied under an applied electric field. With the increasing of electric field， the exciton lifetime increases due to the Stark effect. We noticed that the decrease or quenching of PL intensity with increasing the electric field is mainly due to the decrease of the carriers captured by QD.
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Keywords:
- single InAs quantum dot /
- Stark effect /
- electron-hole separation
[1] ［1］Awschalom D D， Loss D， Samarth N 2002 Semiconductor Spintronics and Quantum Computing (New York: Springer) p229
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