1974年 23卷 第3期
1974, 23(3): 3-12.
doi: 10.7498/aps.23.3-2
摘要:
本文在声阻法检测器等效线路的基础上,提供一种测量检测阻抗的简捷方法。在已知检测阻抗的基础上,对于脱粘状态,进一步探讨了为提高检测灵敏度,如何选择检测器一些参量的方法。理论分析与实验结果较好地符合。对于脱粘状态的检测,灵敏度可以提高五倍以上。
本文在声阻法检测器等效线路的基础上,提供一种测量检测阻抗的简捷方法。在已知检测阻抗的基础上,对于脱粘状态,进一步探讨了为提高检测灵敏度,如何选择检测器一些参量的方法。理论分析与实验结果较好地符合。对于脱粘状态的检测,灵敏度可以提高五倍以上。
1974, 23(3): 26-41.
doi: 10.7498/aps.23.26
摘要:
本文利用透射电子显微相和电子衍射相对18Ni马氏体时效钢中沉淀强化相和时效结构的结晶学性质进行了研究。利用数个不同晶带的衍射相,一致地鉴别出同时存在Ni3Mo,Ni3Ti沉淀相和弥散的逆转变奥氏体,并且确定了它们相对马氏体基体的取向关系。证明了沉淀相、逆转变奥氏体与基体之间,密排面和密排方向都相互平行。指出在透射电子显微相中看到的魏氏型沉淀结构,实际上是由棒状沉淀相构成的三维空间格条结构,其中棒状沉淀相的长度方向平行于基体的四个〈111〉型方向。所观察到的扩张位错和位错塞积的真实性需要更多的实验证实。从结构观点,讨论了沿位错线的沉淀过程,并提出了钴钼交互作用的可能机制。
本文利用透射电子显微相和电子衍射相对18Ni马氏体时效钢中沉淀强化相和时效结构的结晶学性质进行了研究。利用数个不同晶带的衍射相,一致地鉴别出同时存在Ni3Mo,Ni3Ti沉淀相和弥散的逆转变奥氏体,并且确定了它们相对马氏体基体的取向关系。证明了沉淀相、逆转变奥氏体与基体之间,密排面和密排方向都相互平行。指出在透射电子显微相中看到的魏氏型沉淀结构,实际上是由棒状沉淀相构成的三维空间格条结构,其中棒状沉淀相的长度方向平行于基体的四个〈111〉型方向。所观察到的扩张位错和位错塞积的真实性需要更多的实验证实。从结构观点,讨论了沿位错线的沉淀过程,并提出了钴钼交互作用的可能机制。
1974, 23(3): 42-51.
doi: 10.7498/aps.23.42
摘要:
本文给出了在络离子CuX4--(X=Cl,Br)中的配位体与中心离子的晶场能级。在考虑晶场效应之后,利用改进了的Wolfsberg-Helmholz分子轨道法,计算了该络离子的基态与一些激发态的能量。计算结果与所观察到的配位场跃迁带及电子迁移带的一些特性基本相符。
本文给出了在络离子CuX4--(X=Cl,Br)中的配位体与中心离子的晶场能级。在考虑晶场效应之后,利用改进了的Wolfsberg-Helmholz分子轨道法,计算了该络离子的基态与一些激发态的能量。计算结果与所观察到的配位场跃迁带及电子迁移带的一些特性基本相符。
1974, 23(3): 52-60.
doi: 10.7498/aps.23.52-2
摘要:
本文采用复合核机制,计算了裂变道开放前Th232,U238中子俘获截面。探索了光学模型、辐射宽度、统计涨落因子等因素的影响。
本文采用复合核机制,计算了裂变道开放前Th232,U238中子俘获截面。探索了光学模型、辐射宽度、统计涨落因子等因素的影响。
1974, 23(3): 61-72.
doi: 10.7498/aps.23.61
摘要:
本文利用反射式谐振腔,通过测量放入样品前后谐振腔反射系数的变化,确定介电常数虚部ε″和磁导率虚部μ″。研究了样品形状和放在谐振腔不同位置对介电常数和磁导率测量的影响。测量系统有较高的灵敏度。通过提高谐振腔的品质因数和使谐振腔接近临界耦合,并适当减小谐振腔的体积,使系统测量损耗角正切达到10-5数量级并不困难。
本文利用反射式谐振腔,通过测量放入样品前后谐振腔反射系数的变化,确定介电常数虚部ε″和磁导率虚部μ″。研究了样品形状和放在谐振腔不同位置对介电常数和磁导率测量的影响。测量系统有较高的灵敏度。通过提高谐振腔的品质因数和使谐振腔接近临界耦合,并适当减小谐振腔的体积,使系统测量损耗角正切达到10-5数量级并不困难。
