本文讨论了如何用化学键概念来描述半导体性质,特别是迁移现象。为了方便我们具体针对Ⅲ-V族化合物,通过电子在键间的过渡机率来表述电流,并讨论了电子跃迁的两种机构。最后我们讨论了杂质散射,当把杂质原子对较远和近邻电子的作用区分开后,得到了两种散射机构,相应迁移率部分分别正比于T3/2及T-1/2。