研究α-SiC晶面的显微形貌时发现C面上有各种形状的α-SiC配向附生体。文中介绍了这些配向附生体的几何特征及其羣体在衬底晶面上的排列规律,讨论了附生体的生长条件,并认为这些附生体是生长后期的产物;其生长是由二维核化机理所控制,同时近似地估计了生长所需的临界过饱和度与临界晶核半径。最后介绍了在实验室生长这种配向附生体的某一次模拟试验的初步结果。