利用中子晶体谱仪在入射中子能量为0.05—0.54电子伏范围内测量了氢化锆中氢的全截面。并在简谐和非相干近似下,假设声子谱可用两个“类高斯分布”来表示,用声子展开的办法得到了氢化锆中氢的热中子散射双微分截面,再用蒙特-卡洛方法求积分后得到散射总截面。理论计算结果和实验结果在误差范围内基本符合。