搜索

x
中国物理学会期刊
高级检索

水平区熔法制备低位错掺碲砷化镓单晶

物理学报, 1976, 25(2): 179-180.
DOI: 10.7498/aps.25.179
CSTR: 32037.14.aps.25.179

TE-DOPED GaAs CRYSTALS OF LOW DISLOCATION DENSITY GROWN BY THE HORIZONTAL BRIDGMAN METHOD

Acta Phys. Sin., 1976, 25(2): 179-180.
DOI: 10.7498/aps.25.179
CSTR: 32037.14.aps.25.179
PDF
导出引用

  • 摘要

    Abstract

      作者及机构信息

      Authors and contacts

      参考文献

    目录

    /

    返回文章
    返回